公开(公告)号：CN1263540A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN98807170.3

申请日：1998-05-04

Applicant: 拜尔公司

Inventor： H·贝尼斯 ,  U·克劳森 ,  S·克斯特罗米尼 ,  R·奈格尔 ,  H·J·维德

IPC: C08F246/00 ,  C09K19/38 ,  C07C255/65 ,  C07C245/08

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  C08F120/36 ,  G11B7/244 ,  G11B7/245 ,  G11B7/2467 ,  G11B7/25 ,  G11B7/253 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C13/042

Abstract: 本发明涉及新的带侧链的聚合物,其中,可在室温下获得高度光学各角异性。所述光学各角异性是高度热稳定的。

公开(公告)号：CN1178959C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN97196664.8

申请日：1997-05-15

Applicant: 拜尔公司

Inventor： H·伯内斯 ,  U·克劳森 ,  S·科斯特罗米尼 ,  R·内格尔 ,  H·-J·维德尔

IPC: C08F8/00 ,  C08F220/34 ,  G11B7/24

CPC classification number: G03F7/001 ,  C08F8/00 ,  C08F246/00 ,  C09B69/106 ,  G03H1/02 ,  G03H2001/026 ,  G03H2001/0264 ,  G03H2240/52 ,  G11B7/245 ,  C08F20/00

Abstract: 由本来缓慢的光寻址聚合物生产极快速光寻址存储介质是可能的，方法是通过用适于常规刻录的光源大面积照射基片因此发生光学各向异性，即在基片平面内带有优先方向的双折射。如果这样制备的基片经短暂强烈的照射，图案被极快速且永久地刻录。本发明也涉及新的侧链聚合物，在该聚合物中可通过照射产生高度的光学各向异性。此光学各向异性对热是非常稳定的。

公开(公告)号：CN1226258A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN97196664.8

申请日：1997-05-15

Applicant: 拜尔公司

Inventor： H·伯内斯 ,  U·克劳森 ,  S·科斯特罗米尼 ,  R·内格尔 ,  H·-J·维德尔

IPC: C08F8/00 ,  C08F220/34 ,  G11B7/24

CPC classification number: G03F7/001 ,  C08F8/00 ,  C08F246/00 ,  C09B69/106 ,  G03H1/02 ,  G03H2001/026 ,  G03H2001/0264 ,  G03H2240/52 ,  G11B7/245 ,  C08F20/00

Abstract: 由本来缓慢的光寻址聚合物生产极快速光寻址存储介质是可能的,方法是通过用适于常规刻录的光源大面积照射基片因此发生光学各向异性,即在基片平面内带有优先方向的双折射。如果这样制备的基片经短暂强烈的照射,图案被极快速且永久地刻录。本发明也涉及新的侧链聚合物,在该聚合物中可通过照射产生高度的光学各向异性。此光学各向异性对热是非常稳定的。

公开(公告)号：CN1295262C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN98807170.3

申请日：1998-05-04

Applicant: 拜尔公司

Inventor： H·贝尼斯 ,  U·克劳森 ,  S·克斯特罗米尼 ,  R·奈格尔 ,  H·-J·维德

IPC: C08F246/00 ,  C09K19/38 ,  C07C255/65 ,  C07C245/08

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  C08F120/36 ,  G11B7/244 ,  G11B7/245 ,  G11B7/2467 ,  G11B7/25 ,  G11B7/253 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C13/042

Abstract: 本发明涉及新的带侧链的聚合物，其中，可在室温下获得高度光学各向异性。所述光学各向异性是高度热稳定的。