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公开(公告)号：CN1072385C
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN96112591.8
申请日：1996-09-12
Applicant: 斯维则工程实验室公司
Inventor： 托尼·J·李
CPC classification number: H01H9/542 , H01H2009/543 , H01H2009/544 , H01H2009/546
Abstract: 一个绝缘栅双极结晶体管(IGBT)半导体器件连接在拟保护免于燃弧的开关触点之间。当触点为常断开布置时，IGBT的栅极部分通过触点连接到发射极部分，而当触点为闭合布置时，IGBT的集电极部分通过触点连接连接到发射极部分。一个电容器与栅极—集电极结并联连接。在触点从它们的闭合布置移向它们的断开布置时，寄生集电极栅极电容和附加电容器的组合足以维持IGBT器件导通，由此防止触点之间免于燃弧。
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公开(公告)号：CN1153988A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN96112591.8
申请日：1996-09-12
Applicant: 斯维则工程实验室公司
Inventor： 托尼·J·李
CPC classification number: H01H9/542 , H01H2009/543 , H01H2009/544 , H01H2009/546
Abstract: 一个绝缘栅双极结晶体管(IGBT)半导体器件连接在拟保护免于燃弧的开关触点之间。当触点为常断开布置时，IGBT的栅极部分通过触点连接到发射极部分，而当触点为闭合布置时，IGBT的集电极部分通过触点连接连接到发射极部分。一个电容器与栅极-集电极结并联连接。在触点从它们的闭合布置移向它们的断开布置时，寄生集电极栅极电容和附加电容器的组合足以维持IGBT器件导通，由此防止触点之间免于燃弧。
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公开(公告)号：CN1170214A
公开(公告)日：1998-01-14
申请号：CN97110997.4
申请日：1997-04-29
Applicant: 斯维则工程实验室公司
Inventor： 托尼·J·李
CPC classification number: H01H9/542 , H01H2009/543 , H01H2009/544 , H01H2009/546
Abstract: 本抑弧电路包括一个绝缘栅双极结晶体管(IGBT),连接在待保护电气开关触头两端之间。当触头打开时,附加的米勒电容和IGBT栅极-发射极电容的组合引起IGBT接通。此后IGBT由一个第二晶体管快速截止,在IGBT截止之后在抑弧电路两端之间电压增加时该第二晶体管接通。第二晶体管接通引起第一功率晶体管快速和突然截止,以便相对少量负载能量消耗在功率晶体管中。
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公开(公告)号：CN1073267C
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN97110997.4
申请日：1997-04-29
Applicant: 斯维则工程实验室公司
Inventor： 托尼·J·李
CPC classification number: H01H9/542 , H01H2009/543 , H01H2009/544 , H01H2009/546
Abstract: 本抑弧电路包括一个绝缘栅双极结晶体管(IGBT)，连接在待保护电气开关触头两端之间。当触头打开时，附加的米勒电容和IGBT栅极—发射极电容的组合引起IGBT接通。此后IGBT由一个第二晶体管快速截止，在IGBT截止之后在抑弧电路两端之间电压增加时该第二晶体管接通。第二晶体管接通引起第一功率晶体管快速和突然截止，以便相对少量负载能量消耗在功率晶体管中。
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