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公开(公告)号：CN114895175A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210830907.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种测量电路及测量方法。其中，测量电路中的比较单元用于比较第一预设值和第二预设值之间的电压差，以使累加累减单元根据比较结果进行计数，控制单元根据计数结果调节比较电压两个输入端的电压差，从而计算出控制单元的电压分辨率，能够避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，计算出精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。且测量方法简便，易操作，有利于提高测量效率。进一步的，比较单元和控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了测量电路的制备成本，且也缩小了测量电路占用芯片的面积，利于集成化。
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公开(公告)号：CN113848370B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202111125574.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及一种MOS管输出电流的测量电路，包括电流采样单元(101)，用于对待测MOS管的输出电流采样；电流电压变换单元(102)，用于将所述电流采样单元(101)输出的采样电流变换为采样电压；比较器(103)，用于将所述采样电压和设定的参考电压比较；参考电压调整单元，用于根据比较器(103)的比较结果调整所述参考电压，并再次输出到比较器(103)进行比较，直到所述采样电压和参考电压相等时，确定递增/递减寄存器(104)的输出码并输出；电流计算单元，用于根据所述递增/递减寄存器(104)的输出码，获得所述待测MOS管的输出电流值。本发明能够有效保证测量精度。
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公开(公告)号：CN113572136B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110934157.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
Abstract: 本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
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公开(公告)号：CN114895175B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210830907.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种测量电路及测量方法。其中，测量电路中的比较单元用于比较第一预设值和第二预设值之间的电压差，以使累加累减单元根据比较结果进行计数，控制单元根据计数结果调节比较电压两个输入端的电压差，从而计算出控制单元的电压分辨率，能够避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，计算出精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。且测量方法简便，易操作，有利于提高测量效率。进一步的，比较单元和控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了测量电路的制备成本，且也缩小了测量电路占用芯片的面积，利于集成化。
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公开(公告)号：CN113572136A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110934157.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
Abstract: 本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114336890A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210034164.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电池放电保护装置，包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极接电池正极，所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT)；包括栅极驱动单元，所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极，所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压，控制所述第一PMOS管通断，包括电池掉电监测单元，所述电池掉电监测单元的输入端接电池正极，输出端接第一PMOS管的栅极；其中，当所述电池掉电监测单元检测到电池掉电时，控制所述第一PMOS管断开。本发明能够对电池进行有效保护，提高电池使用安全性能。
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公开(公告)号：CN113848370A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111125574.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及一种MOS管输出电流的测量电路，包括电流采样单元(101)，用于对待测MOS管的输出电流采样；电流电压变换单元(102)，用于将所述电流采样单元(101)输出的采样电流变换为采样电压；比较器(103)，用于将所述采样电压和设定的参考电压比较；参考电压调整单元，用于根据比较器(103)的比较结果调整所述参考电压，并再次输出到比较器(103)进行比较，直到所述采样电压和参考电压相等时，确定递增/递减寄存器(104)的输出码并输出；电流计算单元，用于根据所述递增/递减寄存器(104)的输出码，获得所述待测MOS管的输出电流值。本发明能够有效保证测量精度。
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公开(公告)号：CN112187043B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011062190.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
Abstract: 本发明涉及一种恒定均方根电压输出装置及方法，包括供电电源、功率开关(SW)和PWM信号发生器(100)，所述功率开关(SW)一端接所述供电电源(VDD)，另一端为电压输出端(OUT)，另一端接电阻负载(RL)；所述PWM信号发生器(100)用于产生方波信号以控制所述功率开关(SW)吸合，使所述电压输出端OUT输出恒定均方根电压Vorms。本发明能够输出稳定的均方根电压，输出的均方根电压不随供电电源电压变化。
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公开(公告)号：CN112187043A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011062190.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
Inventor： 沈华
Abstract: 本发明涉及一种恒定均方根电压输出装置及方法，包括供电电源、功率开关(SW)和PWM信号发生器(100)，所述功率开关(SW)一端接所述供电电源(VDD)，另一端为电压输出端(OUT)，另一端接电阻负载(RL)；所述PWM信号发生器(100)用于产生方波信号以控制所述功率开关(SW)吸合，使所述电压输出端OUT输出恒定均方根电压Vorms。本发明能够输出稳定的均方根电压，输出的均方根电压不随供电电源电压变化。
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公开(公告)号：CN108107255A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201611044187.0
申请日：2016-11-24
Applicant: 无锡市晶源微电子有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种电流采样装置，用以线性采样流经负载的电流，电流采样装置包含第一驱动开关单元、运放单元及线性采样单元，第一驱动开关单元，包含第一驱动开关管及第二驱动开关管，第一开关管及第二开关管导通时电源输出的电流依次流经第一驱动开关管、负载及第二驱动开关管，运放单元包含正输入端、负输入端及输出端，正输入端耦接于负载，第一驱动开关管导通时运放单元通过正输入端接收流经负载的电流，线性采样单元电性耦接于负输入端、输出端及第二驱动开关管，线性采样单元接收运放单元输出的流经负载的电流后输出采样电流。
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