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公开(公告)号：CN112385023B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201980043363.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/301 , H01L21/67
Abstract: 本制造方法包括如下的工序：对于排列在加工用带(T1)上的多个芯片(C)，粘贴具有基材(B)与烧结接合用片(10)的层叠结构的片体(X)中的烧结接合用片(10)侧，然后将基材B自烧结接合用片(10)剥离的工序；将加工用带(T1)上的芯片(C)与烧结接合用片(10)中的与该芯片(C)密合的部分一同拾取，得到带有烧结接合用材料层的芯片(C)的工序；将带有烧结接合用材料层的芯片(C)借助该烧结接合用材料层(11)而临时固定于基板的工序；以及，由夹设在临时固定的芯片(C)与基板之间的烧结接合用材料层(11)，历经加热过程而形成烧结层，将该芯片(C)接合于基板的工序。本半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。
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公开(公告)号：CN111344813B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880073022.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的烧结接合用组合物含有含导电性金属的烧结性颗粒。该烧结性颗粒的平均粒径为2μm以下，并且该烧结性颗粒中的粒径100nm以下的颗粒的比例为40质量％以上且不足80质量％。本发明的烧结接合用片(10)具备由这样的烧结接合用组合物形成的粘合层。本发明的带烧结接合用片的切割带(X)具备这样的烧结接合用片(10)及切割带(20)。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构，烧结接合用片(10)位于切割带(20)的粘合剂层(22)上。本发明的烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带适于实现基于高密度的烧结层的烧结接合。
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公开(公告)号：CN111690340A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010171624.5
申请日：2020-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J9/02 , C09J169/00 , C09J11/06 , H01L23/00 , H01L23/488
Abstract: 提供在包含半导体芯片烧结接合部位的半导体装置的制造过程中实现良好的作业效率、并且兼具良好的保存稳定性和高保存效率的带基材的烧结接合用片的卷绕体。本发明的卷绕体(1)形成为带基材的烧结接合用片(X)相对于卷芯(2)被卷绕成卷状的形态，所述带基材的烧结接合用片(X)具有层叠结构，所述层叠结构包括：基材(11)；烧结接合用片(10)，其包含含有导电性金属的烧结性颗粒和粘结剂成分。
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公开(公告)号：CN111690338A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010170278.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J9/02 , C09J169/00 , C09J11/06 , H01L23/00 , H01L23/488
Abstract: 提供适合于对接合对象物的接合预定面适当地供给烧结接合用材料的烧结接合用片及带基材的烧结接合用片。本发明的烧结接合用片(10)包含含有导电性金属的烧结性颗粒及粘结剂成分。烧结接合用片(10)利用SAICAS法测定的23℃下的剪切强度F(MPa)、及基于纳米压痕法的载荷-位移测定中的卸载过程所达到的最小载荷f(μN)满足0.1≤F/f≤1。作为本发明的带基材的烧结接合用片的片体(X)具有包含基材(B)和烧结接合用片(10)的层叠结构。
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公开(公告)号：CN104342057A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410390586.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J183/04 , C09J183/00 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B27/08 , B32B27/36 , B32B27/32 , C09K3/10
CPC classification number: B32B7/12 , B32B7/06 , B32B27/06 , B32B27/283 , B32B2307/726 , B32B2307/7265 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , F16J15/022
Abstract: 本发明涉及脱模片和带脱模片的有机硅树脂片，脱模片具备：第一非透湿性基材层；以及在第一非透湿性基材层的厚度方向的一个面上层叠的、含有水的含水层。所述脱模片以有机硅树脂片的粘合面被含水层覆盖的方式进行使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112041972B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201980028570.2
申请日：2019-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 本半导体装置制造方法包括准备工序和烧结接合工序。准备工序中，准备具有层叠结构的烧结接合工件(X)，所述层叠结构包含：基板(S)、配置在其单面侧且要进行接合的多个半导体芯片(C)、以及分别夹设在各半导体芯片(C)与基板(S)之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层(11)。烧结接合工序中，通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片(20)与烧结接合工件(X)重叠并夹持在一对加压面(Pa、Pa)之间的状态下，在该加压面(Pa、Pa)之间将烧结接合工件(X)沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由各烧结接合用材料层(11)形成烧结层(12)。这种半导体装置制造方法适合在加压条件下将多个半导体芯片一并烧结接合于基板。
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公开(公告)号：CN111328302B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201880073024.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的烧结接合用组合物含有含导电性金属的烧结性颗粒。该烧结性颗粒的平均粒径为2μm以下，并且该烧结性颗粒中的粒径100nm以下的颗粒的比例为80质量％以上。本发明的烧结接合用片(10)具备由这样的烧结接合用组合物形成的粘合层。本发明的带烧结接合用片的切割带(X)具备这样的烧结接合用片(10)及切割带(20)。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构，烧结接合用片(10)位于切割带(20)的粘合剂层(22)上。本发明的烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带适于在低负荷条件下实现基于高密度的烧结层的烧结接合。
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公开(公告)号：CN112778943A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011185384.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/04 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/30 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及热固性片材及切割芯片接合薄膜。本发明的热固性片材包含热固性树脂和无机颗粒作为必要成分且包含挥发成分作为任意成分，固化后的前述热固性片材中的前述无机颗粒的颗粒填充率P2相对于固化前的前述热固性片材中的前述无机颗粒的颗粒填充率P1之比P2/P1≥1.3。
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公开(公告)号：CN112778694A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011185403.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L61/06 , C08L63/00 , C08L33/00 , C08K13/06 , C08K9/10 , C08K3/08 , C08K5/05 , C08J5/18 , B32B27/36 , B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B27/20
Abstract: 本发明涉及热固性片材及切割芯片接合薄膜。本发明的热固性片材包含热固性树脂、挥发成分和导电性颗粒，该热固性片材在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从室温升温至100℃并在100℃下保持30分钟时的失重率W1为0.5质量％以下，在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从100℃升温至200℃并在200℃下保持30分钟时的失重率W2为2质量％以上。
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公开(公告)号：CN111690341A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010172512.1
申请日：2020-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J9/02 , C09J169/00 , C09J11/06 , H01L23/00 , H01L23/488
Abstract: 提供适于层叠一体化、并且适于在经过半导体芯片的烧结接合的半导体装置制造过程中的烧结工艺中实现良好的作业效率的、烧结接合用片及带基材的烧结接合用片。本发明的烧结接合用片(10)包含含有导电性金属的烧结性颗粒及粘结剂成分。该烧结接合用片(10)基于纳米压痕法的载荷-位移测定中的卸载过程所达到的最小载荷为-100～-30μN。或者，烧结接合用片(10)基于纳米压痕法的载荷-位移测定中的加载过程之后的卸载过程所达到的最小载荷相对于加载过程所达到的最大载荷的比率为-0.2～-0.06。作为本发明的带基材的烧结接合用片的片体(X)具有包含基材(B)和烧结接合用片(10)的层叠结构。
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