公开(公告)号：CN109215847A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810722307.0

申请日：2018-06-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梅本彻 ,  西岛仁志 ,  碓井圭太 ,  成田悠

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供实现透明导电层的低电阻特性及结晶化速度的改善的兼顾的透明导电性膜、及具备该透明导电性膜的触控面板。本发明的透明导电性膜具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的透明导电层，所述基材膜以不包含极性基团的聚合物作为主成分，所述透明导电层从所述基材膜侧起，依次具有第一铟－锡复合氧化物膜及第二铟－锡复合氧化物膜，所述第一铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量大于9重量％且为20重量％以下，所述第二铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为7重量％以上且9重量％以下。

公开(公告)号：CN108352218B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN111554431A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010085809.4

申请日：2020-02-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西岛仁志 ,  成田悠 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种长期保存稳定性良好的导电性薄膜和触摸面板。导电性薄膜(1)在上下方向上依次具备透明基材(3)、透明导电层(5)、铜层(6)和氧化覆膜层(7)，氧化覆膜层(7)的上表面的水接触角为70°以上。

公开(公告)号：CN108352218A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。