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公开(公告)号：CN111585165B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010091995.2
申请日：2020-02-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/0238 , H01S5/026 , H01S5/40
Abstract: 本发明提供一种发光装置的制造方法、发光装置、或基部，可以精度良好地安装发光装置。发光装置的制造方法包括：将第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将第一半导体激光元件配置在配置面，以使第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；将第一光反射部件配置在配置面的工序，其将第一光反射部件配置在配置面，以使基于第一光反射部件的规定的区域得到的、配置第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。
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公开(公告)号：CN110094643A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910085755.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: F21K9/23 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，能够抑制荧光部的转换效率下降，并且减少发光不均匀。一个方式的发光装置具有：基体(50)、发出第一辐射光的第一半导体激光元件(11)、将第一辐射光向上方反射的第一光反射部(21)、具有第一辐射光所照射的下表面以及成为光输出面的上表面的荧光部(30)、以及包围荧光部30的侧方而设置的遮光部(40)。在发光装置中，第一光反射部(21)包括第一区域(21a)、以及第二区域(21b)，第一区域(21a)及第二区域(21b)形成为，使由第一区域(21a)反射的光之中的由接近第二区域(21b)的一侧反射的光、与由第二区域(21b)反射的光之中的由接近第一区域(21a)的一侧反射的光在到达荧光部(30)的下表面为止相交，并向荧光部(30)的下表面中的照射区域的两端部照射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119627610A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411268808.8
申请日：2024-09-11
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 北岛忠征
IPC: H01S5/0232 , H01S5/02345
Abstract: 使配置半导体激光元件的空间称为密封空间，并且实现发光装置的小型化或构成要素的简化。一种发光装置，具备封装和半导体激光元件，所述封装具有框部、盖部、具有上表面和下表面且厚度为100μm以上且500μm以下的基体、在基体的上表面或下表面设置且厚度为10μm以上且150μm以下的第一金属部件，基体具有：绝缘部件，其具有上表面和下表面且设有从上表面至下表面的第一贯通孔；第一导电性部件，其设置于第一贯通孔；第一金属部件以覆盖第一贯通孔的方式设置于绝缘部件的上表面或下表面，半导体激光元件配置在封装的内部空间且被密封的空间，并且与第一导电性部件和第一金属部件电连接。
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公开(公告)号：CN117791299A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311266860.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其具备：半导体激光元件；具有波长转换部和反射部的波长转换部件，波长转换部具有侧面即入光面和上表面即出光面，反射部设置在不包含入光面和出光面的表面上，并对来自半导体激光元件的光和被波长转换部实施了波长转换后的光进行反射；及封装体，用于配置半导体激光元件和波长转换部件。波长转换部件配置在沿第1方向远离配置半导体激光元件的位置的位置处，出光面为在与出光面垂直的平面图中具有与第1方向垂直的第2方向的宽度从距离半导体激光元件最近的边开始朝向第1方向变窄的第1区域的形状。
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公开(公告)号：CN110094643B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910085755.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: F21K9/23 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，能够抑制荧光部的转换效率下降，并且减少发光不均匀。一个方式的发光装置具有：基体(50)、发出第一辐射光的第一半导体激光元件(11)、将第一辐射光向上方反射的第一光反射部(21)、具有第一辐射光所照射的下表面以及成为光输出面的上表面的荧光部(30)、以及包围荧光部30的侧方而设置的遮光部(40)。在发光装置中，第一光反射部(21)包括第一区域(21a)、以及第二区域(21b)，第一区域(21a)及第二区域(21b)形成为，使由第一区域(21a)反射的光之中的由接近第二区域(21b)的一侧反射的光、与由第二区域(21b)反射的光之中的由接近第一区域(21a)的一侧反射的光在到达荧光部(30)的下表面为止相交，并向荧光部(30)的下表面中的照射区域的两端部照射。
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公开(公告)号：CN111585165A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010091995.2
申请日：2020-02-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光装置的制造方法、发光装置、或基部，可以精度良好地安装发光装置。发光装置的制造方法包括：将第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将第一半导体激光元件配置在配置面，以使第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；将第一光反射部件配置在配置面的工序，其将第一光反射部件配置在配置面，以使基于第一光反射部件的规定的区域得到的、配置第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。
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公开(公告)号：CN308245418S
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202330134610.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：激光二极管。
2.本外观设计产品的用途：是用于电路中的一个元器件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计１立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明：设计１至设计６的示出透明部分参考图中的斜线部分是透明区域。
6.省略视图：设计１仰视图、左视图分别与设计１的俯视图、右视图对称，省略设计１的仰视图、左视图；设计２至设计６的后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图分别与设计１的后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图相同，省略设计２至设计６的后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图。
7.指定基本设计：设计１。
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