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公开(公告)号：CN102227813B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200980147519.X
申请日：2009-11-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G59/50 , H01L21/336 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C07D239/60 , C07D403/06 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/28194 , H01L21/312 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的课题是提供不仅栅极绝缘膜的绝缘性高、而且甚至连薄膜晶体管元件的电气特性都考虑到了的新的栅极绝缘膜形成剂。作为解决本发明课题的方法是提供薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂、由该形成剂获得的栅极绝缘膜和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂的特征在于，包含含有下述结构单元的低聚物或聚合物，所述结构单元具有嘧啶三酮环，所述嘧啶三酮环具有带有羟基烷基的基团作为氮原子上的取代基。
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公开(公告)号：CN103026474A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036266.6
申请日：2011-07-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/247 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/78693
Abstract: 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101501821A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029550.4
申请日：2007-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日产化学工业株式会社
IPC: H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0022 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造电子电路部件如有机TFT 1的方法，该方法能够制造具有优良可靠性和实用水平品质的电子电路部件，因为特别是在通用塑料衬底等上，通过在对上述塑料衬底无影响的200℃以下的工艺温度下的处理，能够形成具有更优良特性的绝缘层和导电层。本发明的制造电子电路部件的方法包括：在200℃以下的温度加热含聚酰亚胺及其前体中的至少一种的层，以形成与水的接触角为80°以上的绝缘层4；在上述绝缘层4上形成包括含金属纳米粒子的分散体的涂膜，并在200℃以下的温度加热上述涂膜以形成导电层如源极5或漏极6。
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公开(公告)号：CN106537569B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201580038337.4
申请日：2015-07-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 前田真一
IPC: H01L21/368 , C01G15/00 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体层形成用组合物，所述金属氧化物半导体层形成用组合物包含通式[1]表示的溶剂、和无机金属盐。(式中，R1表示碳原子数2～3的直链或支链的亚烷基，R2表示碳原子数1～3的直链或支链的烷基。)
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公开(公告)号：CN103562784B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280026232.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: C08G73/10 , G02F1/133723
Abstract: 本发明提供可获得涂布面内的膜厚均匀性和涂布周边部的直线性优异的涂膜的、特别适于喷墨法涂布的液晶取向剂。液晶取向剂含有选自聚酰亚胺及聚酰亚胺前体的至少一种的聚合物、和包含以下述式(1)表示的烷基纤维素乙酸酯化合物的溶剂。(式中，R1是碳数1～8的烷基)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227813A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147519.X
申请日：2009-11-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G59/50 , H01L21/336 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C07D239/60 , C07D403/06 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/28194 , H01L21/312 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的课题是提供不仅栅极绝缘膜的绝缘性高、而且甚至连薄膜晶体管元件的电气特性都考虑到了的新的栅极绝缘膜形成剂。作为解决本发明课题的方法是提供薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂、由该形成剂获得的栅极绝缘膜和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂的特征在于，包含含有下述结构单元的低聚物或聚合物，所述结构单元具有嘧啶三酮环，所述嘧啶三酮环具有带有羟基烷基的基团作为氮原子上的取代基。
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公开(公告)号：CN101970537A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108394.X
申请日：2009-03-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G73/10 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L21/312 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1075 , C08G73/1078 , C08L79/08 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L51/0014 , H01L51/0036 , H01L51/052
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成图像的下层膜组合物、以及采用该组合物而获得的固化膜，所形成的用于形成图像的下层膜具有高防水性(疏水性)，即使以少的紫外线曝光量也可以容易地改变亲疏水性，而且相对介电常数高。作为解决本发明课题的方法是用于形成图像的下层膜组合物以及采用该组合物获得的固化膜，所述用于形成图像的下层膜组合物的特征在于，包含选自聚酰亚胺前体和该聚酰亚胺前体进行脱水闭环而获得的聚酰亚胺中的至少一种，所述聚酰亚胺前体包含下述式(1)和(1a)所表示的结构单元。(上式中，A表示4价有机基团，B1表示具有氟烷基的2价有机基团，B2表示2价有机基团，R1、R2、R1a、R2a各自独立地表示氢原子或1价有机基团，n和m分别表示正整数且满足0.01≤n/(n+m)≤0.3。)
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公开(公告)号：CN103026474B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180036266.6
申请日：2011-07-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/247 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/78693
Abstract: 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN105542164A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510964780.6
申请日：2009-03-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/312 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1075 , C08G73/1078 , C08L79/08 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L51/0014 , H01L51/0036 , H01L51/052 , C08G73/1007 , C08G73/1057 , C08G73/1067 , H01L51/0504 , H01L51/102
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成图像的下层膜组合物、以及采用该组合物而获得的固化膜，所形成的用于形成图像的下层膜具有高防水性(疏水性)，即使以少的紫外线曝光量也可以容易地改变亲疏水性，而且相对介电常数高。作为解决本发明课题的方法是用于形成图像的下层膜组合物以及采用该组合物获得的固化膜，所述用于形成图像的下层膜组合物的特征在于，包含选自聚酰亚胺前体和该聚酰亚胺前体进行脱水闭环而获得的聚酰亚胺中的至少一种，所述聚酰亚胺前体包含下述式(1)和(1a)所表示的结构单元。(上式中，A表示4价有机基团，B1表示具有氟烷基的2价有机基团，B2表示2价有机基团，R1、R2、R1a、R2a各自独立地表示氢原子或1价有机基团，n和m分别表示正整数且满足0.01≤n/(n+m)≤0.3。)
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公开(公告)号：CN103788653A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410028650.7
申请日：2009-03-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08L79/08 , C08G73/10 , H01L51/05 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/312 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1075 , C08G73/1078 , C08L79/08 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L51/0014 , H01L51/0036 , H01L51/052
Abstract: 本发明提供用于形成图像的下层膜组合物、以及采用该组合物而获得的固化膜，所形成的用于形成图像的下层膜具有高防水性(疏水性)，即使以少的紫外线曝光量也可以容易地改变亲疏水性，而且相对介电常数高。作为解决本发明课题的方法是用于形成图像的下层膜组合物以及采用该组合物获得的固化膜，所述用于形成图像的下层膜组合物的特征在于，包含选自聚酰亚胺前体和该聚酰亚胺前体进行脱水闭环而获得的聚酰亚胺中的至少一种，所述聚酰亚胺前体包含下述式(1)和(1a)所表示的结构单元。(上式中，A表示4价有机基团，B1表示具有氟烷基的2价有机基团，B2表示2价有机基团，R1、R2、R1a、R2a各自独立地表示氢原子或1价有机基团，n和m分别表示正整数且满足0.01≤n/(n＋m)≤0.3。)
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