公开(公告)号：CN109087978A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810575825.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 日本奥兰若株式会社

Inventor： 北谷健 ,  冈本薰 ,  中原宏治

IPC: H01L33/30 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/323 ,  G02F1/015

CPC classification number: H01S5/3218 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/176 ,  H01S2304/04 ,  H01L33/305 ,  G02F1/015 ,  H01L31/03042 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及一种光半导体元件、光组件以及光模块，通过降低掺杂剂原料的供给不均，从而以低成本制造。所述光半导体元件具备：InP基板、配置于InP基板的上方的活性层、配置于活性层的下方的第一导电型半导体层以及配置于活性层的上方的第二导电型包覆层，第二导电型包覆层包含1或多层第二导电型In1-xAlxP层，在1或多层第二导电型In1-xAlxP层的各层中，Al组成x为相当于第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，将第二导电型包覆层整体的总层厚设为临界层厚，第二导电型包覆层整体的平均应变量的绝对值为通过Matthews的关系式求得的临界应变量的绝对值以下。