-
公开(公告)号：CN1155468C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN99815987.5
申请日：1999-11-30
CPC classification number: B32B17/06 , C03C17/3417
Abstract: 本发明提供一种洗净后亲水性在极短的时间内达到恢复，并且，恢复的亲水性具有高的持久性的亲水性构件。在作为基体材料的玻璃板1的表面形成氧化锡(SnO2)膜2，在该氧化锡(SnO2)膜2的表面形成了作为上敷层的氧化硅(SiO2)膜3。作为玻璃板1，是以SiO2作为主要成分的钠玻璃，氧化锡膜(SnO2)2，例如，用CVD法制成，其厚度为10～800nm，表面的表面平均粗糙度(Ra)为0.5～25nm。另外，氧化硅(SiO2)膜3用溅射法制成，其厚度为0.1～100nm。然而，因氧化硅(SiO2)膜3在上述氧化锡(SnO2)膜2上形成，所以，氧化锡膜(SnO2)2的凹凸被原样转移，氧化硅(SiO2)膜3的表面的表面平均粗糙度(Ra)也是0.5～25nm。
-
公开(公告)号：CN1334769A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN99815987.5
申请日：1999-11-30
CPC classification number: B32B17/06 , C03C17/3417
Abstract: 本发明提供一种洗净后亲水性在极短的时间内达到恢复,并且,恢复的亲水性具有高的持久性的亲水性构件。在作为基体材料的玻璃板1的表面形成氧化锡(SnO2)膜2,在该氧化锡(SnO2)膜2的表面形成了作为上敷层的氧化硅(SiO2)膜3。作为玻璃板1,是以SiO2作为主要成分的钠玻璃,氧化锡膜(SnO2)2,例如,用CVD法制成,其厚度为10～800nm,表面的表面平均粗糙度(Ra)为0.5～25nm。另外,氧化硅(SiO2)膜3用溅射法制成,其厚度为0.1～100nm。然而,因氧化硅(SiO2)膜3在上述氧化锡(SnO2)膜2上形成,所以,氧化锡膜(SnO2)2的凹凸被原样转移,氧化硅(SiO2)膜3的表面的表面平均粗糙度(Ra)也是0.5～25nm。
-
公开(公告)号：CN1321084C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03803029.2
申请日：2003-01-31
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: C03C17/22
CPC classification number: C23C16/345 , C03C17/22 , C03C17/225 , C03C17/245 , C03C17/3435 , C03C17/3441 , C03C2217/213 , C03C2217/281 , C03C2217/282 , C03C2218/152 , C23C16/0218 , C23C16/545 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种使用原料气体根据化学气相沉积法形成透明薄膜的方法，其特征在于：成膜速度为8nm/s以上，该透明薄膜含有选自碳(C)和氧(O)中的至少一种、氮(N)、氢(H)及硅(Si)。根据该方法，可在浮槽内的玻璃带上形成薄膜中的张力被缓和而不易从基体剥离，并且在可见光区的透过率高的透明薄膜。
-
公开(公告)号：CN1625534A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03803029.2
申请日：2003-01-31
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: C03C17/22
CPC classification number: C23C16/345 , C03C17/22 , C03C17/225 , C03C17/245 , C03C17/3435 , C03C17/3441 , C03C2217/213 , C03C2217/281 , C03C2217/282 , C03C2218/152 , C23C16/0218 , C23C16/545 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种使用原料气体根据化学气相沉积法形成透明薄膜的方法，其特征在于：成膜速度为8nm/s以上，该透明薄膜含有选自碳(C)和氧(O)中的至少一种、氮(N)、氢(H)及硅(Si)。根据该方法，可在浮槽内的玻璃带上形成薄膜中的张力被缓和而不易从基体剥离，并且在可见光区的透过率高的透明薄膜。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
