公开(公告)号：CN113678266A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080027577.5

申请日：2020-04-07

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  吉松俊英 ,  中岛史人 ,  山田友辉

IPC: H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。

公开(公告)号：CN103403848A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010887.1

申请日：2012-01-20

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  村本好史 ,  吉松俊英 ,  横山春喜

IPC: H01L21/331 ,  G02F1/017 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L29/0615 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。

公开(公告)号：CN113678266B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202080027577.5

申请日：2020-04-07

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  吉松俊英 ,  中岛史人 ,  山田友辉

IPC: H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层(204)的生长方向平行的面。

公开(公告)号：CN103403848B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280010887.1

申请日：2012-01-20

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  村本好史 ,  吉松俊英 ,  横山春喜

IPC: H01L21/331 ,  G02F1/017 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L29/0615 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。