公开(公告)号：CN100343706C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02815590.4

申请日：2002-08-02

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 吉原聪 ,  俣野高宏 ,  坂本明彦 ,  浅井光雄 ,  上原仁

IPC: G02B6/12 ,  C03C17/30

CPC classification number: G02B6/12 ,  C03C17/30 ,  G02B6/0218 ,  G02B6/02209 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种光学通讯器件衬底用陶瓷或玻璃陶瓷制成，该衬底在-40到100℃的温度范围中有在-10到-120×10-7/℃范围中的负热膨胀系数，该衬底用一种含有从由硅氧烷化合物和硅氮烷化合物组成的集合中选择的至少一种有机硅化合物的溶液处理。

公开(公告)号：CN1539088A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02815590.4

申请日：2002-08-02

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 吉原聪 ,  俣野高宏 ,  坂本明彦 ,  浅井光雄 ,  上原仁

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/12 ,  C03C17/30 ,  G02B6/0218 ,  G02B6/02209 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种光学通讯器件衬底用陶瓷或玻璃陶瓷制成，该衬底在－40到100℃的温度范围中有在－10到－120×10－7/℃范围中的负热膨胀系数，该衬底用一种含有从由硅氧烷化合物和硅氮烷化合物组成的集合中选择的至少一种有机硅化合物的溶液处理。