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公开(公告)号：CN103121791B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310013917.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p?SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点－50°C）为止的平均冷却速度与从（退火点+100°C）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN101925546B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980102731.4
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B17/06 , C03C3/091 , G02F1/1333
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至(退火点-50℃)为止的平均冷却速度与从(退火点+100℃)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN102219355B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110113912.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B17/06
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/12 , C03C3/083 , C03C3/091 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种热收缩率偏差小的无碱玻璃基板及其制造方法。一种无碱玻璃基板，其特征在于自常温起开始以10℃/分的速度升温，在保温温度450℃下保温10小时，再以10℃/分的速度降温(按图1所示的温度时间曲线进行热处理)时的热收缩率绝对值为50ppm以上。
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公开(公告)号：CN104487396A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380039673.1
申请日：2013-08-08
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03C21/002 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/093 , C03C4/18 , C03C2204/00 , Y10T428/315 , C03C3/091 , C03C21/00
Abstract: 本发明的强化玻璃基板的制造方法，其特征在于，使玻璃原料熔融，并成形为板状，由此得到长边尺寸为1000mm以上且短边尺寸为500mm以上的玻璃基板，之后，在使该玻璃基板倾斜的状态下对其进行离子交换处理，由此在玻璃基板的表面形成压缩应力层。
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公开(公告)号：CN103121791A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310013917.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点－50°C）为止的平均冷却速度与从（退火点+100°C）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331090A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047243.4
申请日：2006-12-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/12 , C03C3/083 , C03C3/091 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种热收缩率偏差小的无碱玻璃基板及其制造方法。一种无碱玻璃基板，其特征在于自常温起开始以10℃/分的速度升温，在保温温度450℃下保温10小时，再以10℃/分的速度降温(按图1所示的温度时间曲线进行热处理)时的热收缩率绝对值为50ppm以上。
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公开(公告)号：CN105829260B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580003131.8
申请日：2015-04-02
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 加藤嘉成
Abstract: 一种玻璃的制造方法，其中，在水蒸气压为1hPa以上的气氛中，对玻璃组成中的Li2O+Na2O+K2O的含量小于5质量％的玻璃进行热处理。
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公开(公告)号：CN102822102B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180015636.8
申请日：2011-03-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/091 , C03B17/067 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够满足形成薄膜电路的基板所要求的品质的100μm以下的玻璃基板的制造方法和通过该方法得到的薄板玻璃基板。本发明的方法为用于制造板厚为10～200μm的玻璃基板的方法，包括通过下拉法将熔融玻璃成型为带状的成型工序；对玻璃带进行退火的退火工序；和将玻璃带切断的切断工序，其特征在于，将（退火点＋200℃）～（退火点＋50℃）的温度范围内的平均冷却速度调节为300～2500℃/分钟的范围。
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公开(公告)号：CN102822102A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015636.8
申请日：2011-03-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/091 , C03B17/067 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够满足形成薄膜电路的基板所要求的品质的100μm以下的玻璃基板的制造方法和通过该方法得到的薄板玻璃基板。本发明的方法为用于制造板厚为10～200μm的玻璃基板的方法，包括通过下拉法将熔融玻璃成型为带状的成型工序；对玻璃带进行退火的退火工序；和将玻璃带切断的切断工序，其特征在于，将（退火点＋200℃）～（退火点＋50℃）的温度范围内的平均冷却速度调节为300～2500℃/分钟的范围。
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公开(公告)号：CN101370742B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780002378.3
申请日：2007-01-11
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 加藤嘉成
CPC classification number: C03C3/091 , C03B25/025
Abstract: 本发明提供一种无碱玻璃基板，该无碱玻璃基板的短边、长边均为1500mm以上，其特征在于，在自常温起以10℃/分钟的速度升温，并以保持温度450℃保持10个小时，再以10℃/分钟的速度降温(按照图1所示的温度时间表进行热处理)时，基板内的热收缩率绝对值的最大值与最小值之差为5ppm以内。该基板可以如下制成：在成形时的冷却过程中，在距退火点至小于退火点100℃的温度范围内，将板宽方向的中央部分和端部的平均冷却速度的差调节为100℃/分钟以内。
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