公开(公告)号：CN102106033A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980122754.1

申请日：2009-08-12

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 泽田正弘 ,  永金知浩 ,  坂本明彦 ,  濑户直 ,  藤本智史

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/2095 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明提供一种用于太阳能电池的基板，其是通过将透明导电膜形成在玻璃基板上而制成的，其特征在于，玻璃基板的热膨胀系数为50×10-7～110×10-7/℃。而且，还提供一种用于太阳能电池的基板，其是通过将由掺氟氧化锡或掺锑氧化锡构成的导电膜形成在具有0.05～2mm的厚度的玻璃基板上而制成的，其特征在于，玻璃基板的应变点为525℃以上。

公开(公告)号：CN103601367A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310473977.0

申请日：2009-08-12

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 泽田正弘 ,  永金知浩 ,  坂本明彦 ,  濑户直 ,  藤本智史

IPC: C03C3/091 ,  C03C17/23

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/2095 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池用基板和色素增感型太阳能电池用氧化物半导体电极，该太阳能电池用基板通过将由掺氟氧化锡或掺锑氧化锡构成的导电膜形成在具有0.05～2mm的厚度的玻璃基板上而制成，该玻璃基板的应变点在525℃以上，其组成以质量%来表示，含有：SiO250～70%、Al2O310～20%、B2O39～15%、MgO+CaO+SrO+BaO10～18%、SnO2+Sb2O3+As2O30.05～1%。上述氧化物半导体电极是通过将厚度为5～50μm的氧化物半导体层形成于上述太阳能电池用基板的导电膜上而制成。