公开(公告)号：CN104303242B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380025632.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本石原化学株式会社

Inventor： 川户祐一 ,  宫本一诚 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H01B13/00 ,  H05K3/12

Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。

公开(公告)号：CN104303242A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025632.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本石原化学株式会社

Inventor： 川户祐一 ,  宫本一诚 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H01B13/00 ,  H05K3/12

CPC classification number: H01B13/003 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01B1/026 ,  H01B13/322 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/1476

Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。