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公开(公告)号:CN100487975C
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN02159397.3
申请日:2002-12-27
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明提供一种介电体滤波器,其包括:通过叠置多个介电层形成的介电衬底(12);在所述介电衬底(12)中的谐振电极(14A,14B,14C,16A,16B,16C),每个所述谐振电极(14A,14B,14C,16A,16B,16C)具有根据其部分而改变的有效介电常数;多个内层接地电极(22A,22B,24A,24B);其中,每个所述谐振电极(14A,14B,14C,16A,16B,16C)的开路端沿所述介电层的叠置方向插入在所述介电层之间,被插入在所述多个内层接地电极(22A,22B,24A,24B)之间的所述介电层中的至少一个所述介电层的介电常数大于其它任何所述介电层的介电常数。
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公开(公告)号:CN1430308A
公开(公告)日:2003-07-16
申请号:CN02159397.3
申请日:2002-12-27
IPC: H01P1/203
Abstract: 一种介电体滤波器,其具有多个内层接地电极(22A,22B,24A,24B),它们沿介电层的叠置方向将谐振电极(14A,14B,14C,16A,16B,16C)的各个开路端夹在其中。被插入内层接地电极(22A,22B,24A,24B)之间的第3到第6个介电层(S3-S6)中的每一个介电层的介电常数大于其它任何介电层的介电常数,即第1和第2介电层以及第7到第9介电层(S7-S9)的介电常数。
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公开(公告)号:CN101636904B
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN200880008603.9
申请日:2008-03-13
Applicant: 双信电机株式会社
IPC: H03H7/075
CPC classification number: H03H7/075 , H03H7/1766 , H03H2001/0085
Abstract: 本发明提供无源部件。在第一无源部件(10A)中,在以下的位置形成有第一并联谐振电路~第三并联谐振电路中的具有接近通频带的谐振频率的第二并联谐振电路(16B)。即,在电介质基板(20)中,在由第一屏蔽电极(22A)和第二屏蔽电极(22B)夹着的区域(Za)中的距离第一屏蔽电极(22A)最远的位置、且距离第二屏蔽电极(22B)最远的位置(在该例中,位于区域(Za)的层叠方向中央部分的第七电介质层(S7)的主面和第八电介质层(S8)的主面),形成有第二并联谐振电路(16B)。
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公开(公告)号:CN112997356A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201980075981.7
申请日:2019-11-01
Applicant: 双信电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制特性的不均匀的滤波器。滤波器(10)具有:多个谐振器(11A至11C),分别具有通路电极部(20)和第一带状线路(18A),所述第一带状线路(18A)与第一遮蔽导体(12B)对置并且与通路电极部的一端连接;第一结合容量电极(29A),配备于第一谐振器(11A),具有包含多个第一电极(31a)的第一梳型电极(33A);第二结合容量电极(29B),配备于第二谐振器(11B),具有包含多个第二电极(31b)的第二梳型电极(33B),与第一结合容量电极形成于相同的层,第一电极和第二电极以相邻的方式被配置。
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公开(公告)号:CN112997356B
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN201980075981.7
申请日:2019-11-01
Applicant: 双信电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制特性的不均匀的滤波器。滤波器(10)具有:多个谐振器(11A至11C),分别具有通路电极部(20)和第一带状线路(18A),所述第一带状线路(18A)与第一遮蔽导体(12B)对置并且与通路电极部的一端连接;第一结合容量电极(29A),配备于第一谐振器(11A),具有包含多个第一电极(31a)的第一梳型电极(33A);第二结合容量电极(29B),配备于第二谐振器(11B),具有包含多个第二电极(31b)的第二梳型电极(33B),与第一结合容量电极形成于相同的层,第一电极和第二电极以相邻的方式被配置。
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公开(公告)号:CN101636904A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200880008603.9
申请日:2008-03-13
Applicant: 双信电机株式会社
IPC: H03H7/075
CPC classification number: H03H7/075 , H03H7/1766 , H03H2001/0085
Abstract: 本发明提供无源部件。在第一无源部件(10A)中,在以下的位置形成有第一并联谐振电路~第三并联谐振电路中的具有接近通频带的谐振频率的第二并联谐振电路(16B)。即,在电介质基板(20)中,在由第一屏蔽电极(22A)和第二屏蔽电极(22B)夹着的区域(Za)中的距离第一屏蔽电极(22A)最远的位置、且距离第二屏蔽电极(22B)最远的位置(在该例中,位于区域(Za)的层叠方向中央部分的第七电介质层(S7)的主面和第八电介质层(S8)的主面),形成有第二并联谐振电路(16B)。
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