氘化物及有机电场发光元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117321034A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280034677.X

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 提供一种在驱动电压低的同时效率高且具有长寿命的在实用上有用的有机EL元件及适用于所述有机EL元件的氘化物。一种氘化物,在下述通式(1)所表示的化合物的Ar1及Ar2中的芳香族环上的氢原子的氘化率为40%以上。(此处,Ar1及Ar2分别独立地表示经取代或未经取代的碳数6~30的芳香族烃基、或者它们的芳香族环的2个~5个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基,连结时的芳香族烃基可相同也可不同。)

    摄像用的光电转换元件用材料以及光电转换元件

    公开(公告)号:CN118104416A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202280069595.9

    申请日:2022-10-17

    Abstract: 本发明提供一种实现摄像用的光电转换元件的高灵敏度化、高分辨率化的材料、以及提供一种使用所述材料的摄像用的光电转换元件。一种摄像用的光电转换元件用材料,包含Cz‑(Ar)m‑Cz所表示的双咔唑化合物。此处,Cz为咔唑基,Ar独立地为碳数6~30的芳香族烃基,m为3~6的整数。其中,Ar中的至少一个为由萘、菲、芘或苯生成的二价芳香烃基。

    摄像用的光电转换元件用材料及摄像用光电转换元件

    公开(公告)号:CN117598045A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202280046151.3

    申请日:2022-07-13

    Abstract: 本发明提供一种实现摄像用的光电转换元件的高灵敏度化、高分辨率化的材料、及使用所述材料的摄像用的光电转换元件。一种摄像用的光电转换元件用材料,包含具有下述通式(1)的结构的化合物。Ar1~Ar3表示芳香族烃基、芳香族杂环基、或将这些的两个~六个连结而成的连结芳香族基,至少两个基包含式(2)~式(4)中的任一个所表示的芳香族环结构。X表示O、或S。

    摄像用光电转换元件用材料
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116685590A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202180078582.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明提供一种实现摄像用光电转换元件的高灵敏度化、高分辨率化的材料、及使用所述材料的摄像用光电转换元件。一种摄像用光电转换元件用材料,具有下述通式(1)的结构。L分别独立地表示单键、碳数6~30的芳香族烃基等。a表示取代数,且表示1~6的整数。Ar1分别独立地表示下述式(2)所表示的基。Ar2分别独立地表示包含含氮六元环结构的碳数3~30的芳香族杂环基等。其中,与L键结的基是芳香族杂环基。环B表示与邻接环在任意位置进行缩合的式(2a)所表示的杂环。式(2)的*表示与式(1)的L的键结位置。X表示O、S、N‑Ar3。

    有机电场发光元件及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114830367A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202080087175.4

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 提供一种效率高且实现低电压特性的有机EL元件。包括发光层,所述发光层包含(1)、(2)的化合物与掺杂剂。X为N或CR3且至少一个为N。R1为(1b),R2为(1c),R3为烷基等。Y为O、S、NR4、CR5R6,R4~R6为烷基等,R7~R14的一个与(1)的环键结。*为与(1)的环的键结位置,环C、环D为与邻接环缩合的芳香族环。R15、R16及R17与R3为相同含义(a、b为取代数)。R19与R4为相同含义,R20~R27为CR3、CR28或N,至少一个为CR28,R28为式(2b)。Z为O、S、NR37、CR38R39,R37~R39与R4为相同含义,R29~R36的一个与(2)的环键结,其他为CR3或N。

    光电转换元件用材料及使用其的光电转换元件

    公开(公告)号:CN119836861A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202380063965.2

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 本发明提供一种达成摄像用光电转换元件的高感度化、高分辨率化的材料及使用所述材料的摄像用光电转换元件。使用一种包含通式(1)所表示的化合物的光电转换元件用材料。Ar1~Ar3表示氘、碳数1~20的烷基、碳数12~36的芳基杂芳基胺基、碳数6~18的芳香族烃基等,Ar1~Ar3中的至少一个为通式(2)~通式(5)等中的任一个,X为C(Ar4Ar5)、O、S等,a及b为0~4的整数。*表示与通式(1)的键结点,L1及L2表示直接键、碳数6~18的芳香族烃基、碳数3~18的芳香族杂环基等中的任一个。Ar4~Ar12与Ar1~Ar3相同,c、e、f表示0~3的整数,d表示0~2的整数。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#

    摄像用的光电转换元件用材料及电转换元件

    公开(公告)号:CN119234478A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202380040393.6

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 提供一种达成摄像用光电转换元件的高感度、高分辨率化的光电转换元件用材料及摄像用光电转换元件。一种光电转换元件用材料,由通式(1)或通式(2)表示;另外,一种摄像用光电转换元件,在两片电极之间具有光电转换层及电子阻挡层,在该些层中的至少一个包含所述材料。环E独立地表示与邻接环在任意的位置进行缩合的由式(1a)表示的杂环。Ar1、Ar2、Ar5及Ar6分别独立地为碳数12~30的二芳基胺基、碳数12~30的芳基杂芳基胺基、碳数12~30的二杂芳基胺基、碳数6~30的芳香族烃基或碳数4~18的杂芳香族基,Ar1、Ar2、Ar5或Ar6中的至少一个为所述胺基或该胺基进一步进行缩环而成者。#imgabs0#

Patent Agency Ranking