公开(公告)号：CN106461705B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201580025877.9

申请日：2015-06-26

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 小岩阳介 ,  高塚俊徳 ,  今庄秀人 ,  铃木健治

IPC: G01R15/20

Abstract: 提供一种耐绝缘性优良、降低干扰磁场的影响而提高了磁场检测精度的电流传感器。电流传感器(1)具备：导体(210)，被测量电流流过该导体(210)；磁电转换元件(213a、213b)，其被配置在导体(210)的附近；以及绝缘构件(214)，其支承磁电转换元件(213a、213b)，其中，导体(210)被配置为不与绝缘构件(214)接触且不支承绝缘构件(214)。

公开(公告)号：CN106461705A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025877.9

申请日：2015-06-26

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 小岩阳介 ,  高塚俊徳 ,  今庄秀人 ,  铃木健治

IPC: G01R15/20

CPC classification number: G01R15/207 ,  G01R15/20 ,  G01R15/202 ,  G01R15/205 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种耐绝缘性优良、降低干扰磁场的影响而提高了磁场检测精度的电流传感器。电流传感器(1)具备：导体(210)，被测量电流流过该导体(210)；磁电转换元件(213a、213b)，其被配置在导体(210)的附近；以及绝缘构件(214)，其支承磁电转换元件(213a、213b)，其中，导体(210)被配置为不与绝缘构件(214)接触且不支承绝缘构件(214)。