公开(公告)号：CN1922123B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580006061.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 长田一人 ,  成田吉德 ,  烧山正敏

IPC: C07C25/22 ,  C07C17/16 ,  C07C35/44 ,  C07D317/70 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C07C25/22 ,  C07C17/16 ,  C07C25/24 ,  C07C35/44 ,  C07C2603/52 ,  C07D317/70 ,  H01L51/0055

Abstract: 本发明提供一种具有高移动度并且对溶剂的溶解性及耐氧化性优良的有机半导体材料。另外，还提供具有高移动度的有机半导体薄膜，以及电子特性优良的有机半导体元件。作为源·漏电极，在形成金电极图案的硅基板上，形成了在6、13位导入卤基，在2，3，9，10位导入脂肪族烃基的戊省化合物薄膜，作为晶体管结构。

公开(公告)号：CN1922123A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580006061.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 长田一人 ,  成田吉德 ,  烧山正敏

IPC: C07C25/22 ,  C07C17/16 ,  C07C35/44 ,  C07D317/70 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C07C25/22 ,  C07C17/16 ,  C07C25/24 ,  C07C35/44 ,  C07C2603/52 ,  C07D317/70 ,  H01L51/0055

Abstract: 本发明提供一种具有高移动度并且对溶剂的溶解性及耐氧化性优良的有机半导体材料。另外，还提供具有高移动度的有机半导体薄膜，以及电子特性优良的有机半导体元件。作为源·漏电极，在形成金电极图案的硅基板上，形成了在6、13位导入卤基，在2，3，9，10位导入脂肪族烃基的戊省化合物薄膜，作为晶体管结构。