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公开(公告)号：CN104508761A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380023517.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/5806 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种具有易于通过热处理来结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。该导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
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