公开(公告)号：CN109019689B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201810758193.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 张正富 ,  范苏晓 ,  徐嘉辉 ,  任艳坤

IPC: C01G41/00 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种纳米三硫化钨的制备方法，向氨水中缓慢加入三氧化钨，搅拌均匀，再加入硫代乙酰胺，搅拌至完全溶解；将混合液脱气密封后，在160~200℃下反应20~30h，冷却至室温后，在40~60℃下真空干燥4~8h；再在氩气保护气氛下200~250℃保温1~4h，冷却后得到纳米三硫化钨。制得的纳米三硫化钨可作为锂电池负极材料。本发明在低温下合成三硫化钨，避免了高温下氧化钨杂相的出现，纯度高，且本方法的产率较高，环境污染更小，材料的结构和性能也较为突出。

公开(公告)号：CN109019689A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810758193.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 张正富 ,  范苏晓 ,  徐嘉辉 ,  任艳坤

IPC: C01G41/00 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种纳米三硫化钨的制备方法，向氨水中缓慢加入三氧化钨，搅拌均匀，再加入硫代乙酰胺，搅拌至完全溶解；将混合液脱气密封后，在160~200℃下反应20~30h，冷却至室温后，在40~60℃下真空干燥4~8h；再在氩气保护气氛下200~250℃保温1~4h，冷却后得到纳米三硫化钨。制得的纳米三硫化钨可作为锂电池负极材料。本发明在低温下合成三硫化钨，避免了高温下氧化钨杂相的出现，纯度高，且本方法的产率较高，环境污染更小，材料的结构和性能也较为突出。