公开(公告)号：CN117568776A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311746261.3

申请日：2023-12-19

Applicant: 昆明理工大学 ,  昆明理工恒达科技股份有限公司

Inventor： 何亚鹏 ,  黄惠 ,  赵丹荻 ,  翟重渊 ,  郭忠诚 ,  陈步明

IPC: C23C16/27 ,  C02F1/467 ,  C02F1/461 ,  C25D11/26 ,  C23C16/02 ,  C01B32/921 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25B11/063 ,  C25B11/052 ,  C25B11/091 ,  C25B3/00 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明涉及一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，属于电极材料技术领域。本发明通过阳极氧化金属钛基体原位制备TiO2纳米管得到Ti/TiO2纳米管梯度基体；将Ti/TiO2纳米管梯度基体埋入碳质粉末中，在保护气氛下进行高温碳化处理得到Ti/TiC纳米管梯度基体；利用化学气相沉积法将掺硼金刚石薄膜沉积到Ti/TiC纳米管梯度基体表面，得到梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极。本发明通过在钛基体上原位预先合成TiC纳米管，可以避免常规化学气相沉积过程中不均匀TiC和TiH2相的产生，TiC相梯度层与金刚石颗粒之间形成嵌入式结构，降低由于各物相热膨胀系数和晶格失配导致的结合力较差问题，显著提升钛基掺硼金刚石薄膜电极的使用寿命。