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公开(公告)号：CN1119851A
公开(公告)日：1996-04-03
申请号：CN94191599.9
申请日：1994-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/453
Abstract: 其SiO2及Bi2O3组成相当于图1 SiO2～Bi2O3二成分系图中点A、B、C、D及E所围成领域的烧结体，以及含有同一组成添加剂的ITO透明导电膜。上述透明导电膜，在以上述烧结体作对靶材，在惰性气体或惰性气体与O2和/或H2所组成的混合气体中进行喷射时，有利于形成。上述烧结体的相对密度高达90％以上，由此形成的透明导电膜在维持高光透过率的同时，还拥有低于2×10-4Ωcm的低电阻率。
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