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公开(公告)号：CN102666554B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080053035.1
申请日：2010-11-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
Abstract: 本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。
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公开(公告)号：CN102203104A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143306.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/043
Abstract: 本发明涉及使通式(1)所示的烷氧基硅烷在包含碱金属氟化物的催化剂和催化剂活化剂的存在下、在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，HnSi(OR)4-n (1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n是1～3的整数。)。根据本发明的制造方法，通过液相中的烷氧基硅烷的歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，可以解决与溶剂难以分离的问题和由于反应非常慢而不适合工业制造的问题。
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公开(公告)号：CN102203104B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200980143306.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/043
Abstract: 本发明涉及使通式(1)所示的烷氧基硅烷在包含碱金属氟化物的催化剂和催化剂活化剂的存在下、在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，HnSi(OR)4-n (1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n是1～3的整数。)。根据本发明的制造方法，通过液相中的烷氧基硅烷的歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，可以解决与溶剂难以分离的问题和由于反应非常慢而不适合工业制造的问题。
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公开(公告)号：CN102666554A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080053035.1
申请日：2010-11-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
Abstract: 本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。
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