公开(公告)号：CN1214444C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN01802037.2

申请日：2001-07-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  吉田修二 ,  大平学 ,  田中耕太郎

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  B08B7/00 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。

公开(公告)号：CN1386299A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802037.2

申请日：2001-07-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  吉田修二 ,  大平学 ,  田中耕太郎

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  B08B7/00 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。