公开(公告)号：CN111770972B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201980015268.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 米田周平 ,  坂口俊 ,  佐藤孝志 ,  奥野好成

IPC: C09D11/52 ,  B32B27/18 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明的课题在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、可以以比较少的工序制造的银纳米线墨，和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。本发明涉及一种银纳米线墨，含有分子内具有脲键的分子量60～250的低分子量脲化合物、银纳米线、粘合剂树脂和分散介质。还涉及一种透明导电膜，是在透明基材上涂布上述银纳米线墨并干燥而得到的。

公开(公告)号：CN110114136A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780080687.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 今井卓也 ,  古谷和男 ,  李建灿 ,  坂口俊 ,  奥野好成

IPC: B01J27/049 ,  B01J27/051 ,  H01M4/90 ,  H01M8/10

Abstract: 本发明为一种氧还原催化剂，其包含钴、硫和过渡金属元素M作为构成元素，在粉末X射线衍射测定中被确认到具有二硫化钴的立方晶的晶体结构，所述过渡金属元素M为选自铬和钼中的至少1种元素，且过渡金属元素M与钴的摩尔比(M/钴)为5/95～15/85。本发明的氧还原催化剂是活性高、且具有高的耐久性、能成为铂的代替品的氧还原催化剂。具体而言，本发明的氧还原催化剂在PEFC的工作环境下具有高的耐久性，能够实现在酸性气氛下的Co溶出率的抑制、在酸浸渍试验前后的氧还原电位的高保持率。

公开(公告)号：CN111770972A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201980015268.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 米田周平 ,  坂口俊 ,  佐藤孝志 ,  奥野好成

IPC: C09D11/52 ,  B32B27/18 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明的课题在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、可以以比较少的工序制造的银纳米线墨，和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。本发明涉及一种银纳米线墨，含有分子内具有脲键的分子量60～250的低分子量脲化合物、银纳米线、粘合剂树脂和分散介质。还涉及一种透明导电膜，是在透明基材上涂布上述银纳米线墨并干燥而得到的。

公开(公告)号：CN110114137A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780080866.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂口俊 ,  奥野好成 ,  今井卓也 ,  李建灿

IPC: B01J27/049 ,  B01J27/051 ,  H01M4/90 ,  H01M8/10

Abstract: 本发明涉及氧还原催化剂、电极、膜电极组件和燃料电池，该氧还原催化剂是包含置换CoS2的氧还原催化剂，所述置换CoS2具有立方晶结构，所述氧还原催化剂在从其表面起的0.83nm以内具有所述置换CoS2，所述置换CoS2中一部分Co原子被置换为选自Cr、Mo、Mn、Tc、Re、Rh、Cu和Ag中的至少1种置换原子。