公开(公告)号：CN101203926A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680022060.7

申请日：2006-06-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大旗英树 ,  齐田义弘 ,  篠田雅幸

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/00

Abstract: 本发明涉及固体电解电容器基材、使用该基材的固体电解电容器及其制造方法。对于表面具有多孔质层的本发明的固体电解电容器用基材，缩减阳极部区域与阴极部区域之间的多孔质层的至少一部分，优选采用掩蔽材料填充通过缩减而形成的凹部，由此可以形成为阴阳两极确实地被分离的结构，可得到漏电流特性和可靠性优异的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN1856523A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027440.0

申请日：2004-09-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大旗英树 ,  齐田义弘 ,  内条秀一

IPC: C08G61/12 ,  H01G9/00 ,  H01M10/40

CPC classification number: C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  H01G9/028 ,  H01G11/48 ,  H01M4/624 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及具有高电导率的新型π－共轭共聚物及其制造方法，该共聚物通过在低温下、优选在存在含抗衡阴离子的化合物的情况下通过式(IV)所示的基于噻吩的单元与式(III)所示的基于吡咯的单元的化学氧化聚合获得，本发明进一步涉及涂有该共聚物的制品，使用该共聚物作为固体电解质的固体电解电容器以及该电容器的制造方法。