公开(公告)号：CN100477038C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02811939.8

申请日：2002-06-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小沼博 ,  山崎胜彦 ,  海川武则 ,  八木圣一 ,  山下任

IPC: H01G9/04

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/04 ,  H01G9/26 ,  Y10T29/417 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种用于电解电容器的成形基底，其中具有一介电膜表面的起阀作用的金属至少部分地覆盖有一种氧化物，所述氧化物优选的包括Si、起阀作用的金属元素和氧，其中在具有一氧化铝介电膜的成型的箔材中，在铝介电膜厚度的某些区域内，Si的含量从介电膜的表面朝里面部分方向持续地减少；用于生产所述成形基底的方法；及在成形基底上包括固体电解质的固体电解电容器。固体电解电容器通过本发明的成形基底制造，在其接触聚合物面积范围足够大的情况下，改善了对导电聚合物(固体电解质)的粘着力，所述固体电解电容器增加了单个电容器中的静电电容并且与用其它方法制造的电容器相比，改善了LC产率。

公开(公告)号：CN1516883A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02811939.8

申请日：2002-06-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小沼博 ,  山崎胜彦 ,  海川武则 ,  八木圣一 ,  山下任

IPC: H01G9/04

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/04 ,  H01G9/26 ,  Y10T29/417 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种成形基底，其中具有一介电膜表面的起阀作用的金属至少部分地覆盖有一种氧化物，所述氧化物优选的包括Si、起阀作用的金属元素和氧，其中在具有一氧化铝介电膜的成型的箔材中，在铝介电膜厚度的某些区域内，Si的含量从介电膜的表面朝里面部分方向持续地减少；用于生产所述成形基底的方法；及在成形基底上包括固体电解质的固体电解电容器。固体电解电容器通过本发明的成形基底制造，在其接触聚合物面积范围足够大的情况下，改善了对导电聚合物(固体电解质)的粘着力，所述固体电解电容器增加了单个电容器中的静电电容并且与用其它方法制造的电容器相比，改善了LC产率。