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公开(公告)号：CN103328379A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280006282.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B31/26 , B01J31/0239 , B01J31/0247 , B01J31/0251 , B01J31/0265 , C01B32/70
Abstract: 本发明提供了一种使硫和一氧化碳在液相进行反应，来有效制造羰基硫的方法。通过在碱性催化剂的存在下，向装有在有机溶剂中溶解或悬浮有硫的反应液的反应器中连续地导入一氧化碳，在0.2～3.0MPa的压力下、以40～120℃的温度使硫和一氧化碳进行反应而生成羰基硫，从反应器收取气相部分，使用冷却器将收取的气相部分冷却，使气相部分中含有的羰基硫冷凝，连续地收取冷凝了的羰基硫，将没有被冷却器冷凝的气体再次返回到反应器中，由此连续地制造羰基硫。
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公开(公告)号：CN102171138A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139487.9
申请日：2009-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J37/26 , B01J21/04 , B01J23/26 , B01J23/75 , B01J27/12 , B01J27/128 , B01J27/132 , B01J35/1019 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1061 , B01J35/108 , B01J37/0201 , C01B32/00 , C01B32/50 , C01B32/80
Abstract: 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
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公开(公告)号：CN103328379B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201280006282.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B31/26 , B01J31/0239 , B01J31/0247 , B01J31/0251 , B01J31/0265 , C01B32/70
Abstract: 本发明提供了一种使硫和一氧化碳在液相进行反应，来有效制造羰基硫的方法。通过在碱性催化剂的存在下，向装有在有机溶剂中溶解或悬浮有硫的反应液的反应器中连续地导入一氧化碳，在0.2～3.0MPa的压力下、以40～120℃的温度使硫和一氧化碳进行反应而生成羰基硫，从反应器收取气相部分，使用冷却器将收取的气相部分冷却，使气相部分中含有的羰基硫冷凝，连续地收取冷凝了的羰基硫，将没有被冷却器冷凝的气体再次返回到反应器中，由此连续地制造羰基硫。
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公开(公告)号：CN102171138B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980139487.9
申请日：2009-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J37/26 , B01J21/04 , B01J23/26 , B01J23/75 , B01J27/12 , B01J27/128 , B01J27/132 , B01J35/1019 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1061 , B01J35/108 , B01J37/0201 , C01B32/00 , C01B32/50 , C01B32/80
Abstract: 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
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