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公开(公告)号：CN1220548C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01815573.1
申请日：2001-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/389 , B01J20/20 , B01J20/30 , B01J20/3078 , C01B32/336 , C07C23/06 , C07C19/08
Abstract: 为提供能够有效除去全氟化碳中所含的不纯物并获得其中不纯物含量降至1ppm(质量)或更低的全氟化碳，本发明公开了一种生产吸附剂的方法；高纯八氟丙烷或八氟环丁烷；纯化和生产该八氟丙烷或八氟环丁烷的方法；和其用途。纯化用通过包括如下步骤的方法生产的纯化吸附剂进行：(1)将原炭用酸洗涤，然后用水洗涤；(2)将原炭脱氧和/或脱水；(3)原炭在温度500-700℃下再碳化；和(4)原炭在温度700-900℃下在包含惰性气体、二氧化碳和水蒸汽的混合气体流中活化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1276902C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02800081.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/395 , C07C17/389 , C07C17/269 , C07C23/06 , H01L21/3065 , C11D7/50
CPC classification number: C07C23/06 , C07C17/269 , C07C17/389 , C07C17/395
Abstract: 本发明的纯化八氟环丁烷的方法的特征在于使含有杂质的粗八氟环丁烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟环丁烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟环丁烷的方法，可以基本上除去杂质例如氟碳化合物，并容易地获得高纯度的八氟环丁烷。通过本发明的纯化方法获得的八氟环丁烷基本上不含杂质，所以可用作半导体设备等的生产工艺中的蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1233606C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02800082.X
申请日：2002-01-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/395 , C07C17/389 , C07C17/04 , C07C19/08 , H01L21/3065 , C11D7/50
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/04 , C07C17/389 , C07C17/395
Abstract: 本发明的纯化八氟丙烷的方法包括以下步骤：使含有杂质的粗八氟丙烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟丙烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟丙烷的方法，可以基本上除去杂质例如氯化合物，并容易地获得高纯度的八氟丙烷。通过本发明的纯化方法获得的八氟丙烷基本上不含杂质，所以可用作半导体设备等的生产工艺中的蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1503770A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02800081.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/395 , C07C17/389 , C07C17/269 , C07C23/06 , H01L21/3065 , C11D7/50
CPC classification number: C07C23/06 , C07C17/269 , C07C17/389 , C07C17/395
Abstract: 本发明的纯化八氟环丁烷的方法的特征在于使含有杂质的粗八氟环丁烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟环丁烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟环丁烷的方法，可以基本上除去杂质例如氟碳化合物，并容易地获得高纯度的八氟环丁烷。通过本发明的纯化方法获得的八氟环丁烷基本上不含杂质，所以可用作半导体设备等的生产工艺中的蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1455764A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN02800082.X
申请日：2002-01-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/395 , C07C17/389 , C07C17/04 , C07C19/08 , H01L21/3065 , C11D7/50
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/04 , C07C17/389 , C07C17/395
Abstract: 本发明的纯化八氟丙烷的方法包括以下步骤：使含有杂质的粗八氟丙烷与杂质分解剂在高温下接触，然后与吸附剂接触，以便从粗八氟丙烷中基本上除去杂质。根据本发明的纯化或制备八氟丙烷的方法，可以基本上除去杂质例如氯化合物，并容易地获得高纯度的八氟丙烷。通过本发明的纯化方法获得的八氟丙烷基本上不含杂质，所以可用作半导体设备等的生产工艺中的蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1455699A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN01815573.1
申请日：2001-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/389 , B01J20/20 , B01J20/30 , B01J20/3078 , C01B32/336 , C07C23/06 , C07C19/08
Abstract: 为提供能够有效除去全氟化碳中所含的不纯物并获得其中不纯物含量降至1ppm(质量)或更低的全氟化碳，本发明公开了一种生产吸附剂的方法；高纯八氟丙烷或八氟环丁烷；纯化和生产该八氟丙烷或八氟环丁烷的方法；和其用途。纯化用通过包括如下步骤的方法生产的纯化吸附剂进行：(1)将原炭用酸洗涤，然后用水洗涤；(2)将原炭脱氧和/或脱水；(3)原炭在温度500－700℃下再碳化；和(4)原炭在温度700－900℃下在包含惰性气体、二氧化碳和水蒸汽的混合气体流中活化。
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