公开(公告)号：CN107096394B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201710230220.7

申请日：2017-04-10

Applicant: 景德镇陶瓷大学

Inventor： 张小珍 ,  江瑜华 ,  林彬 ,  胡学兵 ,  汪永清 ,  田传进 ,  宋牙牙

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D53/22

Abstract: 本发明公开了一种高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜，由石墨烯和质子导体氧化物两相构成，所述石墨烯的掺杂量为0.03～0.25wt％，所述质子导体氧化物的含量为99.75～99.97wt％。此外，还公开了上述高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜的制备方法。本发明通过微量石墨烯的掺杂，使质子导体氧化物膜获得了高的电子电导率，在显著提高了质子导体氧化物膜的H2渗透通量的同时，大大改善了膜的热稳定性和力学强度，有利于陶瓷透氢膜工业化的应用和发展。

公开(公告)号：CN107096394A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710230220.7

申请日：2017-04-10

Applicant: 景德镇陶瓷大学

Inventor： 张小珍 ,  江瑜华 ,  林彬 ,  胡学兵 ,  汪永清 ,  田传进 ,  宋牙牙

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D53/22

Abstract: 本发明公开了一种高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜，由石墨烯和质子导体氧化物两相构成，所述石墨烯的掺杂量为0.03～0.25wt％，所述质子导体氧化物的含量为99.75～99.97wt％。此外，还公开了上述高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜的制备方法。本发明通过微量石墨烯的掺杂，使质子导体氧化物膜获得了高的电子电导率，在显著提高了质子导体氧化物膜的H2渗透通量的同时，大大改善了膜的热稳定性和力学强度，有利于陶瓷透氢膜工业化的应用和发展。