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公开(公告)号：CN119584679A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411698208.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 晶科能源股份有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池、其制备方法及光伏组件。该太阳能电池的制备方法，包括：提供衬底；在背面形成第一复合层；在第一复合层背离衬底的一侧形成硼硅玻璃；去除部分硼硅玻璃和部分P型掺杂多晶硅层；对表面裸露的P型掺杂多晶硅层进行掺杂形成N型掺杂多晶硅层；对部分预备电池结构的背面进行刻蚀处理；对预备电池结构的正面进行制绒处理，并在预备电池结构进行刻蚀处理之后的结构的正面和背面形成钝化层和减反射层；在预备电池结构的背面形成电极，形成太阳能电池；本申请通过局部去除硼硅玻璃，对裸露的p‑poly补偿反型形成n‑poly，从而取消沉积第二次poly的步骤，简化了工艺流程，降低了生产制造成本。
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公开(公告)号：CN119403296A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411506108.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 晶科能源股份有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，至少可以解决分片电池的性能较差的问题。太阳能电池包括：分片电池，至少两个所述分片电池为对同一整片太阳能电池沿第一方向进行分割处理后形成的，所述分片电池包括第一面、第二面以及连接所述第一面与所述第二面的第三面，所述第一面为所述整片太阳能电池的正面的部分区域，所述第二面为所述整片太阳能电池的背面的部分区域，所述第三面为所述分片电池沿所述分割处理后的断面；晶硅层，所述晶硅层位于所述第三面；氧化硅层，所述氧化硅层位于所述晶硅层的表面；金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述氧化硅层上。
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公开(公告)号：CN119230655A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411297977.4
申请日：2024-09-14
Applicant: 晶科能源股份有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/068
Abstract: 本申请关于一种背接触太阳能电池、光伏组件及制备方法，本申请的背接触太阳能电池制备方法中利用单层预制介质层和单层掩膜层以辅助形成第一掺杂导电部分和第二掺杂导电部分。本申请的方法中用于形成掺杂导电部分所需的工序数量较少，因此，本申请的方法可以提高关于背接触太阳能电池的生产效率。
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公开(公告)号：CN117153925A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311305291.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池以及光伏组件，太阳能电池包括：基底；第一掺杂层；第二掺杂层；电介质层；第一电极；第一掺杂层包括具有第一掺杂浓度的第一掺杂区域以及第二掺杂浓度的第二掺杂区域，其中，第一掺杂区域与第一电极形成电接触，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，在基底前表面一侧形成有若干凸起结构，第一掺杂区域位于若干凸起结构表面内部，至少部分凸起结构的侧壁局部覆盖有阻隔层，阻隔层的晶体结构差异于第二掺杂层的晶体结构。与现有技术相比，本发明通过于基底前表面的形成阻隔层，从而抑制金属化尤其是银铝浆体系对于发射级的影响程度进而降低金属复合损失实现电池开压和填充因子的升高，最终提升电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN116864550A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310900549.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种电池片以及光伏组件，电池片包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的栅线电极，所述栅线电极包括若干沿第一方向间隔分布的主栅线以及若干沿第二方向间隔分布的细栅线，每条所述主栅线均与若干所述细栅线电连接，相邻的两个所述主栅线之间均设有若干沿第三方向间隔分布的分流线，所述分流线电连接两个相邻的细栅线；所述栅线电极的尺寸满足第一公式。与现有技术相比，本发明可以有效的提升了晶体硅电池的转换效率，两个分流线之间的距离增大，从而增加了电池片本体的受光面积，实现了降低单耗的同时，电池效率基本保持不变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594273B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110998092.7
申请日：2021-08-27
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种电池片以及光伏组件，电池片包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的栅线电极，所述栅线电极包括若干沿第一方向间隔分布的主栅线以及若干沿第二方向间隔分布的细栅线，每条所述主栅线均与若干所述细栅线电连接，相邻的两个所述主栅线之间均设有若干沿第三方向间隔分布的分流线，所述分流线电连接两个相邻的细栅线；所述栅线电极的尺寸满足第一公式。与现有技术相比，本发明可以有效的提升了晶体硅电池的转换效率，两个分流线之间的距离增大，从而增加了电池片本体的受光面积，实现了降低单耗的同时，电池效率基本保持不变。
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公开(公告)号：CN116314141A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310356634.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L31/0236
Abstract: 本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池，太阳能电池包括半导体衬底以及识别码，识别码包括多个识别凹坑，识别凹坑的直径≤60μm；识别凹坑内具有呈阶梯状分布的金字塔结构；识别凹坑的边缘具有环状凸棱，环状凸棱的高度＜3μm，环状凸棱的宽度＜4μm；环状凸棱包括内环凸棱与外环凸棱，内环凸棱的棱线长度大于外环凸棱的棱线长度。本申请的太阳能电池，识别凹坑尺寸小，减小了识别凹坑与后续丝网印刷制备的栅线的重叠度，保证栅线的结构完整性；环状凸棱的尺寸小，可以消除尺寸过大时对丝网印刷网版的不良影响；并且，内环凸棱的棱线长度大于外环凸棱的棱线长度，在低角度的光照下，内环凸棱可以形成明显的亮环，进一步方便识别码的读取过程。
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公开(公告)号：CN115694355A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110842095.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H02S50/10
Abstract: 本申请提供了一种电池片PID测试方法，包括将导电件与待测测试件电连接，待测测试件包括待测电池片及钠离子层，将导电件与供电装置电连接；对待测测试件加热使得待测测试件达到预设温度后供电装置对导电件输出直流电压，达到预定时间后关闭供电装置；将待测电池片从待测测试件中拆出；对拆出的待测电池片的电参数进行测试，并计算得出衰减值；在预设环境中采用环境光源对待测电池片照射第一预设时间，使得电池恢复效率，随后对待测电池片进行光伏效率测试，得到待测电池片的一组衰减值；对同一待测电池片重复进行上述步骤，得到待测电池片的多组衰减值。本申请提供的电池片PID测试方法可以解决现有技术中PID测试方法准确度不高的问题。
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公开(公告)号：CN113948599A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110998257.0
申请日：2021-08-27
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底以及位于基底表面的栅线；反射层，反射层覆盖栅线的至少部分表面，反射层包括基体以及分散在基体中的钡盐颗粒，基体包覆钡盐颗粒的至少部分表面，位于远离基底的反射层表面具有与钡盐颗粒位置对应的球冠形表面，且球冠形表面对应的钡盐颗粒的形状为球形。本申请实施例有利于提高太阳能电池封装后的组件功率。
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公开(公告)号：CN116230788A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310254790.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L23/544
Abstract: 本申请实施例涉及一种太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；位于第一表面上的标记编码，标记编码包括多个凹坑，多个凹坑中的至少部分凹坑包括在沿垂直于第一表面的方向上步进式排布的多个阶梯；在沿垂直于第一表面的方向上，至少部分凹坑中的每一个凹坑在沿平行于第一表面的方向上的横截面积逐步增大，且凹坑底部的横截面积最小。至少有利于提升凹坑的光反射性能，进而使得构成标记编码的凹坑的特征便于识别，提高标记编码识别的准确性。
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