公开(公告)号：CN105366714A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510926997.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 暨南大学

Inventor： 扶雄辉 ,  贺爱华 ,  刘华基 ,  孟苗 ,  岳攀

IPC: C01G19/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G19/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/90

Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法。该方法首先将铜片依次用乙醇、稀硝酸和蒸馏水超声处理，风干待用；然后将五水四氯化锡与去离子水搅拌混合均匀，形成溶液A；将氢氧化钠和去离子水搅拌混合均匀，形成溶液B，将溶液A和溶液B混合搅拌均匀，将铜片放置在反应釜中，封釜，在140～220℃下水热反应4～48h，自然冷却至室温，反应产物在蒸馏水或无水乙醇中浸洗，干燥，得均匀的纳米柱组成的二氧化锡纳米花阵列。本发明采用水热法在金属铜基片上一步合成二氧化锡纳米花阵列，反应过程不需表面活性剂和任何催化剂作用，制备方法简单，成本低，具有环境友好的优点。所得纳米花阵列形貌可控，产率高，周期短，适合工业化生产。