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公开(公告)号：CN115084391B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210889273.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种空穴界面梯度结构的钙钛矿太阳能电池，依次包括透明导电膜FTO、具有界面梯度结构的空穴传输层、Al2O3薄膜层和钙钛矿复合薄膜层；所述空穴传输层依次包括锂掺杂氧化镍薄膜层、氧化镍薄膜层和聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜层；所述钙钛矿薄膜为F4‑TCNQ‑(OAm)2PbI4‑FA0.93MA0.07Pb(I0.79Br0.07Cl0.14)3。本发明还公开了钙钛矿前驱体溶液、一种钙钛矿复合薄膜层及其制备方法。本发明有效解决了反式平面结构钙钛矿太阳电池中光诱导产生的空穴传输到透明导电膜FTO较高势垒及界面间能级不匹配的问题。
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公开(公告)号：CN115124747A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210894521.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，包括乙酸乙酯和聚甲基丙烯酸甲酯；所述聚甲基丙烯酸甲酯的含量为0.1～0.4mg/mL。本发明还发明公开了一种钙钛矿‑PMMA复合薄膜的制备方法，在采用钙钛矿前驱体制备钙钛矿薄膜的过程中，采用上述的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂进行反溶剂处理，热处理后得到钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明同时公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括上述的钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，PMMA能同时占据钙钛矿薄膜晶界和“埋底界面”孔隙，有效钝化钙钛矿薄膜和减少界面非辐射复合，最终提升了钙钛矿太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN115124747B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210894521.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，包括乙酸乙酯和聚甲基丙烯酸甲酯；所述聚甲基丙烯酸甲酯的含量为0.1～0.4mg/mL。本发明还发明公开了一种钙钛矿‑PMMA复合薄膜的制备方法，在采用钙钛矿前驱体制备钙钛矿薄膜的过程中，采用上述的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂进行反溶剂处理，热处理后得到钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明同时公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括上述的钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，PMMA能同时占据钙钛矿薄膜晶界和“埋底界面”孔隙，有效钝化钙钛矿薄膜和减少界面非辐射复合，最终提升了钙钛矿太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN115084391A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210889273.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种空穴界面梯度结构的钙钛矿太阳能电池，依次包括透明导电膜FTO、具有界面梯度结构的空穴传输层、Al2O3薄膜层和钙钛矿复合薄膜层；所述空穴传输层依次包括锂掺杂氧化镍薄膜层、氧化镍薄膜层和聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜层；所述钙钛矿薄膜为F4‑TCNQ‑(OAm)2PbI4‑FA0.93MA0.07Pb(I0.79Br0.07Cl0.14)3。本发明还公开了钙钛矿前驱体溶液、一种钙钛矿复合薄膜层及其制备方法。本发明有效解决了反式平面结构钙钛矿太阳电池中光诱导产生的空穴传输到透明导电膜FTO较高势垒及界面间能级不匹配的问题。
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