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公开(公告)号：CN117865288A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311439789.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种耐药菌胞内抗性基因削减的电极材料及其制备方法，通过在多孔电极表面生长微米级TiO2主干阵列和铂掺杂的纳米级TiO2分支，形成一种基于三维材料的铂掺杂树枝状TiO2纳米线结构。制备得到的树枝状纳米线三维电极材料，具有更大的比表面积，能够提供更多反应活性位点和强电场位点，并利用铂掺杂提升纳米线电导率和电催化性能。进一步通过与氯盐/氧化剂联用，耦合纳米线电极表面电穿孔和电催化作用，利用纳米线尖端限域强电场诱导耐药菌细胞结构穿孔，强化氧化剂与抗性基因的接触和反应；利用纳米线尖端限域高电催化活性诱导强氧化性自由基生成，实现耐药菌细胞结构破坏和胞内抗性基因高效削减的目的。
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