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公开(公告)号：CN117416952A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311306100.2
申请日：2023-10-10
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及石墨烯技术领域，具体为一种多孔石墨烯纳米片的制备方法，基于纳米线避雷针效应，利用纳米线尖端形成的具有高电荷密度的电化学反应限域区域，通过直接电化学氧化和间接氧化结合的方法制备多孔石墨烯纳米片。该制备方法操作简单、步骤少、绿色环保，同时无杂质引入、成分均一，形成的孔径尺寸可调节，并且含有多种官能团便于后期进行功能化改性。
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