公开(公告)号：CN106972281A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610986559.5

申请日：2016-11-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊凡·L·贝瑞

IPC: H01Q21/00 ,  H01Q21/06 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67069 ,  H01Q21/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01Q21/061

Abstract: 本发明涉及用于蚀刻和沉积工艺的计算机可寻址等离子体密度修改。本发明公开了使用微波天线的相控阵改变处理室内的半导体衬底上的反应速率的方法。所述方法可以包括：激励在处理室中的等离子体；从微波天线的相控阵发射微波辐射束；以及将所述束引导到所述等离子体中，以导致所述处理室内的半导体衬底的表面上的反应速率的变化。本发明还公开了微波天线的相控阵的特定实施方式以及包括被配置成发射微波辐射束到处理室内的微波天线的相控阵的半导体处理装置。