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公开(公告)号：CN115598943A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211142175.7
申请日：2021-11-09
Applicant: 朗姆研究公司(US)
Inventor： 德赖斯·狄克特斯 , 蒂莫西·威廉·威德曼
IPC: G03F7/42
Abstract: 含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
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