公开(公告)号：CN101443910A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017224.1

申请日：2007-04-25

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 加藤武士 ,  大串健次 ,  野中贤一 ,  东谷义彦 ,  斋藤吉三 ,  冈本宪治

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/057 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块(10)，所述功率半导体模块(10)具有集成电路板(11)，所述集成电路板(11)具有被接合的金属基板电极(14)、绝缘基板(15)和散热片(12)。碳化硅半导体功率器件(13)接合到电路板的金属基板电极的顶部。在从室温到接合时间温度的温度范围内，电路板的多个组成材料之间的平均热膨胀系数差为2.0ppm/℃或更小，并且由操作温度和接合温度之间的差产生的电路板的组成材料之间的膨胀差为2000ppm或更小。