公开(公告)号：CN101908521B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010198571.2

申请日：2010-06-04

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 小仓正巳 ,  高柳教人 ,  山田友子 ,  加藤润 ,  增田次男 ,  合叶司 ,  高野文明

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/0204 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K3/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件，包括：通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板，其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围，以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。

公开(公告)号：CN101908521A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010198571.2

申请日：2010-06-04

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 小仓正巳 ,  高柳教人 ,  山田友子 ,  加藤润 ,  增田次男 ,  合叶司 ,  高野文明

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/0204 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K3/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件，包括：通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板，其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围，以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。