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公开(公告)号：CN114267958B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111588973.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN113540750B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110675201.1
申请日：2021-06-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/48 , H01Q9/04 , G06K19/077
Abstract: 本发明陈述了一种用于稳定H型槽RFID标签性能的电磁带隙结构。本发明通过周期性加载单元结构实现；每个单元包括多个拼图型贴片、基底和金属地板；本发明可以直接放置在H型槽RFID标签下方，无需任何支撑结构，便于安装；最重要的是，与单独的H型槽RFID标签相比，加载有该EBG结构的H型槽RFID标签安装在不同材质表面时其频率、辐射性能均表现出高度一致性，不受环境因素的影响，可以广泛应用于各种环境中。综上所述，设计出的电磁带隙结构不仅可以实现最大程度提升H型槽RFID标签性能的环境稳定性，并且有着结构简单、低成本、小尺寸、易集成等优点，因此有着广阔的发展前景和巨大的市场潜力。
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公开(公告)号：CN113091941A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110340218.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子器件领域，公开了一种微流控温度传感模块及其温度表征方法。微流控温度传感模块包括第一层共面波导传输线结构、第二层封板膜和第三层微流芯片，共面波导传输线结构上加载谐振单元，实现在谐振频率附近的带阻功能。本发明的微流控温度传感模块结构简单，体积小，便于使用，稳定性高。本发明还公开了一种微流控温度传感模块的温度表征方法，通过微流控温度传感模块的校准线（频率偏移与温度的对应曲线）的拟合方法，可以更方便的通过测试出的频率偏移直接查找对应的温度值。综上所述，设计出的微流控温度传感模块不仅可以实现对温度的精确稳定传感，并且有着结构简单、低成本、小尺寸、易集成、环境温度性高等优点。
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公开(公告)号：CN112003012A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011076755.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及增益增强型低雷达散射截面空馈阵列天线。目前已报道的带通型吸波性频率选择结构只能缩减天线的单站/双站/多站雷达散射截面，但是无法兼顾天线增益的提升，甚至还会略微降低天线的性能。本发明采用将吸波性频率选择结构覆盖在天线上方的方式，在低频和高频两个宽频带内实现了高隐身特性，同时在工作频带内提升了天线的增益，极大地提升了天线所在的系统的信噪比，提升了天线的性能。该天线增强增益的方式不同于以往的通过不同单元结构补偿不同入射角度的电磁波的相位，充分利用同一单元结构对不同斜入射角度具有不同相移的特性，设计原理清晰，设计结构非常简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108736167B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810282654.6
申请日：2018-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及新型三维宽阻带低通频率选择结构。传统的频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频频段，即使能够做到低频带通，所需要设计出的实物尺寸也非常庞大，不便于使用。本发明采用两层平行板波导堆叠的方式，并将两层平行板波导中间部分设计为阻抗不连续平行板波导，设计出具有低通特性的频率选择结构，并且在其相邻高频处具有非常宽的带阻频段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114243274B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111563094.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有宽轴比带宽的差分馈电圆极化超表面天线，包括第一介质板S1、第二介质板S2、金属接地板N、天线辐射结构M、馈电网络F；所述天线辐射结构M包括第一非均匀超表面结构单元、第二非均匀超表面结构单元、第三非均匀超表面结构单元；信号从底部的微带线T1连接的50欧姆微带线输入到差分馈电结构中，通过金属接地板N上的一对耦合缝隙C1和C2传给第一介质板S1上表面的天线辐射结构M。天线辐射结构M中非均匀超表面结构单元的切角将接收到的信号转化为一对等幅正交的极化波，最后通过非均匀超表面结构单元将能量辐射出去，从而形成了圆极化天线。
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公开(公告)号：CN114267958A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111588973.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN108682952B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810215006.9
申请日：2018-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面。传统的吸波性频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用双环反射平面，并且在反射平面另一表面设计吸波环，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双层级联双极化宽带带吸型频率选择表面，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个极宽的吸波带。
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公开(公告)号：CN109509987B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811607172.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种新型二/三维结合的双极化超宽带吸波结构。该结构由第一吸波面、第二吸波面以及金属反射板构成。其中第一吸波面上加载了三维传输线结构。两个二维吸波面和三维传输线结构的这种组合巧妙构造了首尾相接的多谐振，从而实现了宽带双极化吸波(7.15个倍频程)。本发明提出的吸波结构具有厚度薄，重量轻，成本低，易于设计和加工的优点。
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公开(公告)号：CN111817010A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010488314.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构。以往的频率选择结构基本都为无源结构，功能单一，很难对不同环境做出不同的反应。并且少数报道的加载了电调控元件的反射型频率选择结构往往工作频带较窄，工作场合受限。本发明采用双谐振器结合的方式，并通过二极管控制其中一个谐振器的工作状态实现该频率选择结构的反射带的开启与关闭，从而实现工作模式的改变，这大大提升了该频率选择结构的灵活性，拓展了其应用前景。
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