一种磁性无源器件高频特性表征方法及系统

    公开(公告)号:CN119881444A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510377777.8

    申请日:2025-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种磁性无源器件高频特性表征方法及系统,方法包括:对采集到的电压和电流信号进行去噪、隔直以及傅里叶变换,得到信号的频谱信息;通过计算电压频谱与电流频谱的比值,得到电感器在不同频率下的阻抗数据;同步对测试系统中的寄生参数及测试系统时延进行校准和补偿;将得到的阻抗数据进行拟合计算和分析,得到电感器在高频下大信号的阻抗特性曲线。系统包括搭建的测试系统,测试系统包括:信号产生模块、数据采集模块、数据处理模块,本发明解决了必须考虑探头和实验装置所造成延迟以及系统寄生参数产生的问题,不仅能够在高频和大信号条件下精确测量电感器的阻抗特性,也实现了对延迟和寄生参数的分析补偿。

    一种薄膜磁芯高频损耗测量方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119291583A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411428359.9

    申请日:2024-10-14

    Abstract: 本发明属于磁芯损耗测量领域,具体涉及一种薄膜磁芯高频损耗测量方法。本技术方案先利用振动样品磁强计(VSM)测得初始磁化曲线以及在不同外加磁场强度下的磁滞回环,再搭建两绕组法测量平台并利用空气芯变压器校准高频相位偏差;在计算得到叠层薄膜磁芯的损耗曲线后,建立包含薄膜磁芯的有限元模型并予以校正;最后确定叠层薄膜磁芯的复磁导率,将复磁导率代入有限元模型中,剔除空气芯耦合主磁通对薄膜磁芯中磁感应强度测量值的影响,并对损耗曲线进行迭代更新,将最后一次迭代更新得到的损耗曲线作为输出。基于本技术方案可精确测量在高频下适用于磁集成的薄膜磁芯损耗。

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