公开(公告)号：CN1885565A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610077868.7

申请日：2006-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村哲也 ,  泽田和幸

IPC: H01L29/866 ,  H01L27/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66106

Abstract: 一种齐纳二极管结构，包括：用于生成pn结而形成的n型半导体层(2)及p型半导体层(3、4)、覆盖pn结部分的绝缘膜(5)、与n型半导体层(2)电连接的阴极电极布线(6a)、和与p型半导体层(4)电连接的阳极电极布线(6b)。由p型半导体层(3、4)构成的p型半导体区域具有使持有第1扩散深度和第1峰值浓度的第一p型杂质浓度分布和持有比第1扩散深度浅的第2扩散深度和比第1峰值浓度高的第2峰值浓度的第二p型杂质浓度分布重合的杂质浓度分布。第一p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度比第二p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度高。这样，即便微细化也能防止漏电流增大和杂质区域的电阻上升。