参考电压产生电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101169671A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200710167156.9

    申请日:2007-10-24

    CPC classification number: G05F3/30

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种参考电压产生电路,其可以提供相对而言不会受到周围温度的影响、且电压在硅的带隙电压以下的参考电压,并且,该参考电压产生电路包括产生电流的电流产生电路以及将电流产生电路所产生的电流转换为电压并产生参考电压的电流电压转换电路,电流产生电路产生按照电流产生电路周围的温度而值发生变化的电流,电流电压转换电路具有进行电压转换的、且有电流产生电路所产生的电流流过的两个电阻,两个电阻中的某一方具有正的温度系数,其余的一方具有负的温度系数。

    电源电路
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101101491B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200710110584.8

    申请日:2007-06-04

    CPC classification number: G05F1/46

    Abstract: 本发明公开了一种调节器,用于从大于低压晶体管模块的击穿电压的第一电源电压产生第二电源电压,其小于或等于低压晶体管模块的击穿电压,该调节器包括具有低压晶体管和高压晶体管的运算放大器。可采用仅包括低压晶体管的运算放大器。

    半导体开关
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101242174B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200810006125.X

    申请日:2008-02-03

    Abstract: 在采用低电压电源的半导体开关中输出中间电位附近的电压时,由于开态电阻的增大和漏电流的产生,运行速度的降低和输出电压的精度降低成为问题。具有灰度级产生电路(100)、模拟开关电路(111)和背门极电压控制电路(122),由具有与灰度级产生电路(100)相同结构的背门极电压控制电路(122)提供输入灰度级产生电路(100)的电压的模拟开关电路(111)的N沟道MOS晶体管(112)和P沟道MOS晶体管(113)的各个背门极电压。

    半导体开关
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101242174A

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200810006125.X

    申请日:2008-02-03

    Abstract: 在采用低电压电源的半导体开关中输出中间电位附近的电压时,由于开态电阻的增大和漏电流的产生,运行速度的降低和输出电压的精度降低成为问题。具有灰度级产生电路(100)、模拟开关电路(111)和背门极电压控制电路(122),由具有与灰度级产生电路(100)相同结构的背门极电压控制电路(122)提供输入灰度级产生电路(100)的电压的模拟开关电路(111)的N沟道MOS晶体管(112)和P沟道MOS晶体管(113)的各个背门极电压。

    驱动电压控制装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1670577A

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN200510053998.2

    申请日:2005-03-15

    CPC classification number: G09G3/3614 G09G3/3696 G09G2310/027

    Abstract: 驱动电压控制装置包括:第一差动放大器电路,用于接收第一输入电压和输出第一输出电压;第二差动放大器电路,用于接收第二输入电压和输出第二输出电压;控制部分,用于选择第一模式和第二模式之一;以及输出部分,用于当控制部分选择所述第一模式时,将从第一差动放大器电路输出的第一输出电压提供到输出节点,并且当控制部分选择第二模式,将从第二差动放大器电路输出的第二输出电压提供输出节点。当选择第一模式,控制部分增加第一差动放大器电路的驱动功率。

    电源电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101101491A

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200710110584.8

    申请日:2007-06-04

    CPC classification number: G05F1/46

    Abstract: 本发明公开了一种调节器,用于从大于低压晶体管模块的击穿电压的第一电源电压产生第二电源电压,其小于或等于低压晶体管模块的击穿电压,该调节器包括具有低压晶体管和高压晶体管的运算放大器。可采用仅包括低压晶体管的运算放大器。

    升压装置和降压装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1992490A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610167178.0

    申请日:2006-12-26

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/072

    Abstract: 控制单元执行第一至第三控制。第一控制控制开关元件组,使得当通过基准电源电压积聚电容元件中的基准电源电压执行了电荷积聚动作之后,升高电压通过升高电压积聚电容元件的泵浦动作被提供到电压输出端子,所述泵浦动作是通过将基准电源电压反向施加于基准电源电压积聚电容元件而实现的。第二控制控制所述开关元件组,以在电荷积聚动作时间段与泵浦动作时间段之间和在泵浦动作时间段与电荷积聚动作时间段之间,提供一滞后时间段,其中基准电源与基准电源电压积聚元件不相连。第三控制在第一和第二升压电路单元中交替且周期性地实现这样一种控制,即在第一和第二升压电路单元中的一个处于滞后时间段中时,在另一个中执行电荷积聚动作或泵浦动作。

    电源装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1576984A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410069955.9

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2001/009

    Abstract: 本发明涉及电源装置。在作为电荷泵电路的第1升压电路(30)上,连接第1控制电路,在从输出端子Vout1生成Vin(=V1=V3)的2倍的升压输出的第1电源的情况下的充电动作和在从输出端子Vout2生成Vin(=V1)的-1倍升压输出的第2电源的情况下的充电动作上共同使用1个电容C1,生成第1电源和第2电源之后,将与第1控制电路的连接切换为与第2控制电路的连接,以此生成第1电源和从输出端子的Vout2三倍升压的Vin(=V1=V3=V7)输出即第3电源。

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