延迟再生方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1004981B

    公开(公告)日:1989-08-09

    申请号:CN85101069

    申请日:1985-04-01

    Abstract: 把磁头装在压电元件上,在压力头可追随记录轨迹的旋转磁头或VTR中。压力头与磁带非接触期间,给予磁头相当1个慧形象差的位移,使磁带低速驱动。由压力头得到的跟踪误差量如果在一定的临界值以下,又给予磁头相当1个慧形象差的位移量,由于重复上述动作,实现延迟再生。并且根据读出磁头驱动用主动轮的脉冲,预测跟踪物差量的变化,提高延迟再生的稳定性。

    延迟再生方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN85101069A

    公开(公告)日:1987-01-24

    申请号:CN85101069

    申请日:1985-04-01

    Abstract: 把磁头装在压电元件上,在压力头可追随记录轨迹的旋转磁头或VTR中。压力头与磁带非接触期间,给予磁头相当1个慧形象差的位移。使磁带低速驱动,由压力头得到的跟踪误差量如果在一定的临界值以下。又给予磁头相当1个慧形象差的位移量,由于重复上述动作,实现延迟再生,并且根据读出磁头驱动用主动轮的脉冲,预测跟踪物差量的变化,提高延迟再生的稳定性。

Patent Agency Ranking