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公开(公告)号：CN101498899A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910126712.7
申请日：2009-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , Y10S430/143
Abstract: 本发明提供聚焦测定方法和半导体装置的制造方法，其能够正确地测定聚焦值和聚焦偏移量。利用由电子束照射引起的抗蚀剂图形的收缩量依赖于聚焦值进行变化的情况求取聚焦值。在求取聚焦值的情况下，对通过聚焦值测定对象的曝光形成的聚焦测定用抗蚀剂图形的收缩量进行测定。与该收缩量对应的聚焦值从预先取得的收缩量的聚焦依赖性求取。聚焦偏移量能够由该聚焦值和最佳聚焦值的差确定。
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