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公开(公告)号：CN1094848A
公开(公告)日：1994-11-09
申请号：CN94102046.0
申请日：1994-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/38 , C23C14/00
Abstract: 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。
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