半导体集成电路装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1321451C

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN03825520.0

    申请日:2003-07-14

    Abstract: 半导体集成电路装置(10),由LSI功能部(11)和在其上形成的屏蔽布线层(22)构成。LSI功能部(11),由半导体基板(12)和第1绝缘膜(13)构成,在半导体基板(12)上,例如形成包含MOS晶体管(14)的多个电路元件。屏蔽布线层(22),由在第2绝缘膜(17)上依次形成的下部屏蔽布线(23)、第3绝缘膜(24)、上部屏蔽布线(25)及第4绝缘膜(26)构成。下部屏蔽布线(23)和上部屏蔽布线(25)各自被配置的配置方向,互相正交。

    频率传感器和半导体装置

    公开(公告)号:CN100454027C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200480042345.8

    申请日:2004-12-06

    Abstract: 作为针对使LSI在容许范围外的频率上动作的对抗手段,有产生基准时钟并通过对其进行计数而进行检测的频率传感器。但是,在该方法中,有会造成消耗电力和电路规模增大的问题。因此,在本发明的频率传感器中,设置电阻元件(13)和电容(14),通过根据对电容(14)的充放电时间检测频率,而能够实现消耗电流和电路规模小的频率传感器。通过由多个电阻和电容构成,并将它们分别与开关连接,从而能够在制造后调节时间常数,能够抑制制造离散。进而,通过设置频率传感器自身是否正常动作的自己诊断电路,能够提供可靠性高的频率传感器。

    频率传感器和半导体装置

    公开(公告)号:CN1926435A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200480042345.8

    申请日:2004-12-06

    CPC classification number: G01R23/09

    Abstract: 作为针对使LSI在容许范围外的频率上动作的对抗手段,有产生基准时钟并通过对其进行计数而进行检测的频率传感器。但是,在该方法中,有会造成消耗电力和电路规模增大的问题。因此,在本发明的频率传感器中,设置电阻元件(13)和电容(14),通过根据对电容(14)的充放电时间检测频率,而能够实现消耗电流和电路规模小的频率传感器。通过由多个电阻和电容构成,并将它们分别与开关连接,从而能够在制造后调节时间常数,能够抑制制造离散。进而,通过设置频率传感器自身是否正常动作的自己诊断电路,能够提供可靠性高的频率传感器。

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