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公开(公告)号：CN1917381A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610139507.0
申请日：2002-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/0088
Abstract: 本发明揭示一种可变增益放大装置，包含：一个放大器；一个或多个与所述放大器并联的第一开关单元；和一个与所述第一开关单元串联的移相器。其中假如输入信号或输出信号电平高于预设电平，则所述第一开关单元启用；假如所述输入信号或输出信号电平等于或低于所述预设电平，则所述第一开关单元禁用。当所述第一开关单元启用时，所述放大器不运行，当所述第一开关单元禁用时，所述放大器运行。且当所述输入信号通过所述放大器时的相移量基本上等于当所述输入信号通过所述第一开关单元和所述移相器时的相移量。
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公开(公告)号：CN1249918C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02107778.9
申请日：2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F3/72 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明的目的，在于：防止当射频可变增益放大器件中的信号旁路电路所设的射频开关元件处于截止状态时，隔离变动。一种射频可变增益放大器件(1A)，其中的信号旁路电路(20)包括射频开关元件(22)，其栅极和电压控制端(P3)相连；其漏极连接在放大电路(10)的输入端(P1)和输入侧电容器(11)之间；其源极通过旁路电路用电容器(21)与放大电路(10)的输出端相连。在射频开关元件(22)的漏极和源极之间设了和射频开关元件(22)串联的隔离变动防止用电阻器(23)。
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公开(公告)号：CN101447486A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810094845.6
申请日：2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过，由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外，由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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公开(公告)号：CN1599241A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078654.2
申请日：2004-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/0023 , H03G3/3063 , H03G11/08 , H03G2201/103 , H03G2201/206 , H03G2201/307
Abstract: 在接收电路中，天线11接收预定频带的高频信号，电平改变部件13改变天线所接收高频信号的信号电平，后级电路14对在电平改变部件13处改变了信号电平的高频信号执行预定的信号处理，检测部件32检测经后级电路14执行信号处理的高频信号的信号电平，以及控制部件33基于检测部件32所检测的高频信号的信号电平，设置电平改变部件13的高频信号改变率，从而使检测部件32所检测的高频信号的信号电平不会超过预定值。
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公开(公告)号：CN1377132A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02107778.9
申请日：2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F3/72 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明的目的,在于:防止当射频可变增益放大器件中的信号旁路电路所设的射频开关元件处于截止状态时,隔离变动。一种射频可变增益放大器件1A,其中的信号旁路电路20包括射频开关元件22,其栅极和电压控制端P3相连;其漏极连接在放大电路10的输入端P1和输入侧电容器11之间;其源极通过旁路电路用电容器21与放大电路10的输出端相连。在射频开关元件22的漏极和源极之间设了和射频开关元件22串联的隔离变动防止用电阻器23。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203710A
公开(公告)日：1998-12-30
申请号：CN96198691.3
申请日：1996-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤顺治
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04B1/48
Abstract: 本发明的收发信电路包括:低噪声接收放大器(20)、进行低噪声接收放大器(20)的输入阻抗变换的第1匹配电路(40)、具有变换发信信号阻抗的第2匹配电路(50)和第3匹配电路(60)的发信放大器(10)以及转换收发信状态的转换开关(30)。发信放大器(10)具有与大功率FET(12)的栅电极相连的控制端(14),并且发信放大器(10)的输出端(15A)无需通过转换开关(30)便能与天线(80)相连。
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公开(公告)号：CN100459424C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03807231.9
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45089 , H03F1/34 , H03F2200/372 , H03F2203/45298 , H03F2203/45386 , H03F2203/45464 , H03F2203/45544 , H03F2203/45631
Abstract: 放大器(15)放大由一对输入端({P1+，P1-})所提供的差分信号。相位控制电路(25)设置在双极型晶体管(101a，101b)的发射极和接地之间。反馈电路(35)设置在放大电路(15)的输入和输出之间，用于将放大电路(15)的输出反馈至其输入。在放大电路(15)中的相位变化量是由电感器(201a，201b)的数值所确定的，而在反馈电路(35)中的相位变化量是由电阻(301a，301b)和电容器(302a，302b)的数值所确定的。选择这些器件的数值，使得在输入信号和反馈信号之间的相位差大约为180度，且在输入信号的基波频率至其二次谐波频率的范围内。
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公开(公告)号：CN1643785A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03807231.9
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45089 , H03F1/34 , H03F2200/372 , H03F2203/45298 , H03F2203/45386 , H03F2203/45464 , H03F2203/45544 , H03F2203/45631
Abstract: 放大器(15)放大由一对输入端({P1+，P1－})所提供的差分信号。相位控制电路(25)设置在双极型晶体管(101a，101b)的发射极和接地之间。反馈电路(35)设置在放大电路(15)的输入和输出之间，用于将放大电路(15)的输出反馈至其输入。在放大电路(15)中的相位变化量是由电感器(201a，201b)的数值所确定的，而在反馈电路(35)中的相位变化量是由电阻(301a，301b)和电容器(302a，302b)的数值所确定的。选择这些器件的数值，使得在输入信号和反馈信号之间的相位差大约为180度，且在输入信号的基波频率至其二次谐波频率的范围内。
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公开(公告)号：CN1356774A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01140087.0
申请日：2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/687 , H01P1/15
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过,由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外,由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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公开(公告)号：CN101447486B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810094845.6
申请日：2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过，由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外，由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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