公开(公告)号：CN103003744B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201280001076.5

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136218

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。液晶显示装置具备：一对透明基板，隔着液晶层相互对置配置；栅极绝缘膜，按照覆盖栅电极的方式形成，所述栅电极形成在透明基板之中的一个透明基板的液晶层侧的像素区域；半导体膜，被设置在栅极绝缘膜上且构成薄膜晶体管；第1电极，隔着第1绝缘膜以及第2绝缘膜被设置在半导体膜上；第2电极，隔着第3绝缘膜被设置在第1电极上；和接触孔，被一并形成在第1绝缘膜、第2绝缘膜以及第1电极上的第3绝缘膜，并在接触孔中形成了第2电极，在接触孔的周围区域形成了浮动电极。

公开(公告)号：CN103003744A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201280001076.5

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136218

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。液晶显示装置具备：一对透明基板，隔着液晶层相互对置配置；栅极绝缘膜，按照覆盖栅电极的方式形成，所述栅电极形成在透明基板之中的一个透明基板的液晶层侧的像素区域；半导体膜，被设置在栅极绝缘膜上且构成薄膜晶体管；第1电极，隔着第1绝缘膜以及第2绝缘膜被设置在半导体膜上；第2电极，隔着第3绝缘膜被设置在第1电极上；和接触孔，被一并形成在第1绝缘膜、第2绝缘膜以及第1电极上的第3绝缘膜，并在接触孔中形成了第2电极，在接触孔的周围区域形成了浮动电极。

公开(公告)号：CN102959714A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001671.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一 ,  河内玄士朗 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种用于显示装置的薄膜晶体管，其具备在绝缘性的支撑基板上形成的栅极电极、以覆盖栅极电极的方式形成在支撑基板上的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的由第一半导体层及第二半导体层构成的半导体层、在半导体层上形成的欧姆接触层、以及在欧姆接触层上以相互离开的方式形成的源极电极及漏极电极，并且在半导体层的沟道形成区域上设置由SOG(Spin on Glass)构成的蚀刻阻挡体。

公开(公告)号：CN103503125A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020983.4

申请日：2012-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一 ,  青山俊之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；在该氧化物半导体层(24)的沟道形成部分形成的蚀刻阻挡膜(25)；和以覆盖氧化物半导体层(24)和蚀刻阻挡膜(25)的端部的方式形成的源电极(26s)及漏电极(26d)。另外，蚀刻阻挡膜(25)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。

公开(公告)号：CN103493187A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018902.7

申请日：2012-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一 ,  青山俊之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；以覆盖该氧化物半导体层(24)的端部的方式形成的源电极(25s)及漏电极(25d)；和在源电极(25s)及漏电极(25d)和氧化物半导体层(24)上以覆盖它们的方式形成的钝化膜(26)。钝化膜(26)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。

公开(公告)号：CN104054165A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280067347.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤荣一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开的薄膜晶体管具有：在基板上形成的栅电极；以覆盖该栅电极的方式形成的栅绝缘膜(23)；形成在该栅绝缘膜(23)上的半导体层(24)；形成在该半导体层(24)的沟道形成部分的刻蚀阻挡膜(25)；和以覆盖半导体层(24)和刻蚀阻挡膜(25)的端部的方式形成的源电极(26s)及漏电极(26d)。另外，刻蚀阻挡膜(25)，其没有被源电极(26s)及漏电极(26d)覆盖的端部被伪图案(27)覆盖。

公开(公告)号：CN103052908A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201280001341.X

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筱川泰治 ,  佐藤荣一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F2001/134372

Abstract: 本发明涉及的液晶显示装置，具备：一对透明基板，隔着液晶层彼此对置配置；栅极绝缘膜(3)，按照覆盖栅电极(2)的方式形成，该栅电极(2)形成在透明基板之中的一个透明基板(1)的液晶侧的像素区域；开关元件，设置在栅极绝缘膜(3)上、且由薄膜晶体管构成；第1电极(8)，在开关元件上隔着第1绝缘膜(6)以及第2绝缘膜(7)而设置；和第2电极(10)，在第1电极(8)上隔着第3绝缘膜(9)而设置，在第1电极(8)与第2电极(10)之间产生与一对透明基板平行的电场，第2绝缘膜(7)由具有Si-O键的SOG材料构成。