公开(公告)号：CN101071277A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200610165978.9

申请日：2006-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北原英和 ,  野田研二 ,  旭宪一 ,  氏丸直彦 ,  福本博文

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: 本发明涉及一种显像方法及使用该显像方法的半导体装置的制作方法。在抗蚀图案的多段显像方法中，即使开口率不同的区域混杂时也能防止图案尺寸(开口尺寸)所产生的偏差。首先工序(ST1)中在具有上表面开口率互不相同的设计图案已被曝光的抗蚀膜的晶片中，向抗蚀膜上供给显像液。然后在工序(ST2)中通过已供给的显像液使抗蚀膜进行显像反应。然后在工序(ST3)中在显像后通过旋转晶片甩开去除显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。然后在工序(ST5)中去除显像液后向已显像的抗蚀膜上供给清洗液，通过旋转晶片冲掉显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。此时工序(ST3)中晶片的旋转速度小于等于工序(ST5)中衬底旋转速度的二分之一。